陈涌海,湖南人,1967年生,北京大学物理系1986级学生,科学家乐手,中科院半导体所半导体
材料科学重点实验室主任、
博士生导师,杰出青年基金获得者。 曾任
973项目首席科学家。长期从事半导体材料物理研究。先后主持了国家重点基础规划项目和课题、
国家自然科学基金重大项目和面上项目、中科院重点项目等十余个科研项目。在国际知名学术刊物上发表
SCI论文百余篇,获得国家授权
发明专利十余项。曾获2004年国家重点
基础研究计划(973)先进个人称号、2006年度杰出青年基金获得者、2009年
新世纪百千万人才工程国家级人选、2011年度中科院
百人计划入选者等奖励和荣誉。
人物简介
主要从事半导体低维结构材料偏振光学、应变自组装
量子点(线)材料和器件、
半导体自旋电子学等研究,主持了国家973、
自然科学基金等多项研究课题。在Phys. Rev. B,Appl. Phys. Lett.等刊物发表论文80余篇。
主要成就
音乐造诣
研究量子、纳米之余,弹琴复长啸,纵情民谣中,一曲《将进酒》,唱出
诗仙的豪放情怀,燃出沸腾热血。在校期间,与
许秋汉、杨一等同道中人组建未名湖乐队。
学术成绩
用偏振反射差分光谱(RDS)研究了GaAs/Al(Ga)As、InGaAs/GaAs、InGaAs/InP等(001)面
量子阱的平面内光学各向异性,得到了一系列国际上尚无报道的新结果,证实了该技术很适合用于表征半导体异质材料界面
有序结构、原子
偏析、界面
化学键组成等界面性质;利用
连续介质模型计算了应变自组装
量子线周围的
应力场,很好地解释了量子线斜对准现象;利用图形化柔性层、低温生长柔性层以及注氢柔性层等技术获得了柔性
衬底材料,并探讨了柔性衬底在缓解应变方面的物理机制;近十年在国际学术刊物上发表了四十余篇论文。
科研成果
主要项目
国家自然科学基金重大项目课题“
新型半导体量子结构的设计、制备和表征”(2003-2006);
973项目课题“大失配异质
结构材料生长动力学与柔性
衬底”(2001-2005);
863项目“
光泵浦、
光通信用自组装
量子点激光器”(2002-2005);
国家自然科学基金重大规划项目“
磁性半导体异质结构材料和自旋极化
半导体激光器”(2003-2005);
国家自然科学基金
面上项目“
半导体材料平面
光学各向异性研究”(2000-2002)。
主要论著
Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature
GaAs, Phys. Rev. B, vol.55, pp. R7379-R, 1997.
Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1866-, 1998.
Y. H. Chen and Z. Yang , Theory of linear electro-optic effect near the E1 and the E1 + D1 energies , Appl. Phys. Lett. Vol. 73(12), pp.1667-, 1998.
Y. H. Chen, Z. Yang, et al., Quantum-well anisotropic forbidden transitions induced by a common-atom interface potential, Phys. Rev. B, vol. 60(3), pp.1783-, 1999.
Y. H. Chen, Z. G. Wang, et al., Polishing-related optical anisotropy of semi-insulating GaAs studied by reflectance difference spectroscopy, J. Appl. Phys., vol.88(3), pp.1695-1697, 2000. 3362 3039
Xiao-Ling Ye, Y. H. Chen, et al., Determination of the values of hole-mixing coefficients due to interface and electric field in GaAs/AlxGa1-xAs superlattices, Phys. Rev. B, vol. 63, pp.115317-, 2001.
Y. H. Chen, X. L. Ye, et al., Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/ AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy, Phys. Rev. B, vol. 66, pp.195321-, 2002.
H. Y. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, et al., Effects of seed layer on the realization of larger self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots, J. Appl. Phys. Vol. 88(9), pp.5433-, 2000. 3362 3039
Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, et al., Self assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, J Crystal Growth, vol. 227-228, pp.1132-, 2001.
出版图书