沈波，中国国籍，1963年7月出生于江苏省扬州市，教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者。

1963年7月出生于江苏省扬州市；

1985年7月毕业于南京大学物理系半导体专业，获学士学位；

1988年7月毕业于中国科技大学物理系半导体专业，获硕士学位；

1995年3月毕业于日本东北大学材料科学研究所 (IMR)，获博士学位；

2000年晋升教授；

2003年获国家杰出青年科学基金；

曾任日本东京大学产业技术研究所 (IIS) 客座研究员、东京大学先端科技研究中心(RCAST) 客座教授、 日本千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所(AIST)访问教授。

现为北京大学物理学院副院长、宽禁带半导体研究中心副主任、北京大学理学部副主任。

（一）宽禁带半导体量子结构材料与器件。

（二）宽禁带半导体低维物理。

主要研究内容包括：

III族氮化物半导体异质结构和量子阱的外延生长和缺陷控制，

III族氮化物半导体功率电子器件与器件物理，

III族氮化物半导体深紫外发光材料和器件，

新型半导体低维结构的量子输运和自旋性质

中国教育学会学校辅导专业委员会会员、省教育学会会员、省心育名师、市学科带头人、市中学生先进集体班主任、区党代会代表。主持、参加多项省级立项课题研究，省课题研究先进个人。多篇论文在全国、省市级评比中获一、二等奖并在国家核心期刊发表。曾参加南京市中考命题工作。开设国家、省、市级讲座、公开课二十余节。主编教材4本，参与编写教材、教辅书籍48本。

1995年开始从事III族氮化物（GaN基）宽禁带半导体物理、材料和器件研究，在强极化、高能带阶跃体系中二维电子气输运规律、GaN基异质结构外延生长和缺陷控制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展，近年在GaN基异质结构二维电子气自旋性质、GaN基量子阱子带跃迁器件等方面取得一系列进展。先后主持和作为核心成员参加了国家“863”计划项目、国家“973”计划项目、国家自然科学基金重大、重点项目、教育部重大研究计划项目等20多项科研课题，发表SCI收录论文140多篇，论文被引用超过1000次，先后在国际学术会议上做邀请报告近10次，获国际学术会议“最佳论文奖”1次和全国学术会议“优秀论文奖”4次，获得/申请国家发明专利11项；多次担任国际学术会议程序委员会委员和组织委员会委员，是APL、JAP等国际学术刊物的特约审稿人。

获国家自然科学二等奖（2004年）、国家技术发明三等奖（1999年）、江苏省科技进步一等奖（2003年）和教育部科技进步三等奖（2000年）。