半导体材料厂、峨嵋半导体材料研究所，简称：“峨半”。坐落在举世闻名的旅游胜地峨眉山脚下，占地面积1400余亩。峨半是1964年10月以原冶金部有色金属研究院338室和沈阳冶炼厂高纯金属车间为主组建的我国第一家集半导体材料科研、试制、生产相结合的大型企业，是有色工业重点骨干企业，其中，“研究所”是国家242所重点科研所之一，每年承担多项国家及军工重点科研专题项目。因发展的需要，峨半2006年7月整体划转至东方电气集团公司旗下的东方汽轮机厂，2010年12月又成功实施改制，现直属东方电气集团。峨半是四川省“高新技术企业”和省级“企业技术中心”，是全国最大的多晶硅和高纯金属生产供应商，也是国内少数几个能独立生产全系列半导体材料和太阳能级硅材料的生产厂家之一。

中国东方电气集团旗下的东汽投资发展有限公司峨嵋半导体材料厂、研究所现名东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司。座落在举世闻名的旅游胜地峨眉山脚下，占地面积 620余亩。东汽峨半厂所是1964年10月以原冶金部有色金属研究院338室和沈阳冶炼厂高纯金属车间为主组建的中国第一家集半导体材料科研、试制、生产相结合的大型厂(所)一体的企业，是有色工业重点骨干企业。厂、所现有职工1500多人，包含各类技术人员681人。

2015年进入破产程序，多晶硅项目负债严重。

东汽峨半厂所是省级“企业技术中心”,共取得科研成果300多项，其中获省部级以上成果奖80多项，累计开发试制新产品6000多种。厂、所先后为我国电子信息、能源交通部、机械电力等许多工业部门和研究领域提供了相关的半导体材料，同时向我国洲际导弹、海上发射运载火箭、人造卫星、北京正负电子对撞机及神舟5号、6号飞船等提供了关键材料，为我国国防事业做出了重要贡献，多次受到党中央、国务院、中央军委及中央相关部委的通报表彰。

一、大事记

——1964年10月，根据中共中央关于加强大三线建设的指示精神。冶金工业部于一九六四年十月九日下发（64）冶发基办字1271号文，一九六四年十月十二日下发（65）冶发基办字1305号文“关于坚决保证完成一九六四年迁建任务的紧急通知”。确定北京有色金属研究院三三八室（硅材料研究室）及与之配套的人员、装置和职能管理部门内迁四川峨眉县。定名：“冶金工业部北京有色金属研究院第一研究所”，代号“七三九”。

北京有色金属研究院党委任命常秀山为北京有色金属研究院第一研究所（七三九厂）党总支付书记。任命张积珍为副厂、所长。11月中旬，七三九厂、所第一期工程破土动工。

——1965年5月北京有色金属研究院第二批“三线”建设人员100多人到厂。8月15日多晶硅工序试车成功，产出第一炉多晶硅。10月厂、所全面投产。

——1966年4月第二期工程开工建设。沈阳冶炼厂第一批支援“三线”建设人员到厂。12月厂、所二百多名职工利用业余时间，仅用三个月，建成一栋家属楼。建筑面积1976M 。

——1967年3月氩气氛外热式无位错区熔硅单晶拉制成功。沈阳冶炼厂，葫芦岛锌厂，抚顺301厂，湖南锡矿山等内迁人员和设备到厂。5月4日 第二期工程全面竣工交付使用。

——1968年4月第三期工程（化合物半导体研究室及单晶硅扩建工程）破土动工。12月完成了三氯氢硅还原尾气中氢气回收的小型试验。

——1970年7月15日采用溴化蒸馏法制备出5N高纯硼。8月拉制出第一根砷化镓单晶。

——1971年2月4日多晶硅扩建工程01-3车间竣工交付使用。3月22日中罗双方在北京签订关于中国向罗马尼亚提供成套项目和技术援助的议定书。多晶硅和区熔部分的工艺技术由峨嵋半导体材料厂、所承担。4月Φ35 mm 内热式生产氢气氛无位错区熔硅单晶研制成功。

——1972年5月试制成功Φ40-42.5mm 大直径区熔硅单晶。6月接受援助罗马尼亚的多晶硅和单晶硅生产任务。7月4日根据冶金部要求，为支援七四一厂建设，厂、所第一批三十一名职工调离厂、所奔赴陕西华山半导体材料厂。7月15日：川冶（70）革字第314号文将“七三九厂”改称“峨嵋半导体材料厂”，将“北京有色金属研究院第一研究所”改称“峨嵋半导体材料研究所”。

——1975年2月23日，拉制出Φ55x420mm大直径区熔硅单晶。4月18日拉制出Φ83x200mm、重2.4公斤的直拉无位错硅单晶。7月4日拉制出Φ60x300mm区熔硅单晶，重2.7公斤，达到国内先进水平。12月采用B2O3 熔体覆盖法在国内首先研制出第一根InAs单晶。

——1976年4月研制出区熔大直径（Φ70x150mm）无位错硅单晶。

——1978年5月13日，国务院副总理方毅在四川省委副书记杨超的陪同下，来厂、所视察工作，并亲笔题写“大力发展材料科学”的题词。

——1979年5月首次在国内制备出用作耿氏器件的多层砷化镓外延材料。8－9月全面完成罗马尼亚实习生的培训任务。12月研究出水平掺锡的砷化镓单晶，并成功地用于国防“三三一”工程。

——1980年1月在国内首次研究成功用于MOS集成电路的中子嬗变掺杂硅单晶。5月21日中共中央、国务院、中央军委发来贺电，国防科工委寄来“感谢信”，表扬我厂、所为我国发射洲际导弹作出的贡献。12月“739”牌真空P型、N型高阻区熔硅单晶和超纯镓获部优产品称号。同月成功研制了晶闸管用NTD硅材料。该工艺已推广全国，为我国填补了一项空白。

——1981年1月，硅单晶车间副主任唐均松、工程师梁员庆、钟焕荣、何风池、工人张兆地赴罗马尼亚帮助罗方安装调试设备和试车生产。3月16日 援建罗马尼亚单晶硅厂区熔部分投产，罗方签字验收。

——1982年10月，经两年的努力，厂、所与北京401所、中国计量科学研究院协作研制的硅单晶电阻率标准样片，在昆明由国家计量局主持鉴定。通过鉴定，样片填补了国内空白，达到美国 NBS标准样片的水平。10月16日，中共中央、国务院，中央军委电贺厂、所为运载火箭的研究和发射试验成功所做的贡献。12月7日，国防科工委来信表彰厂、所在我国潜水艇发射运载火箭中所做的贡献。

——1983年8月4 K位大规模集成电路用P型‹100›硅单晶获中国有色金属总公司（部级）科技成果一等奖。12月完成了硅单晶微观缺陷的热氧化—腐蚀检验方法，并由国家标准局颁布为国家标准；

多晶硅真空区熔基硼检验方法、多晶硅断面夹层化学检验方法、测定硅间隙氧含量的红外吸收法、测定硅中代位碳含量的红外吸收法等四种方法由国家标准总局颁布为标准方法。

——1984年4月18日，中共中央、国务院、中央军委发来贺电，国防科工委寄来感谢信，表彰厂、所为试验通信卫星发射成功所做出的贡献。7月8日，N型NTD 单晶硅材料通过中国有色金属工业总公司和核工业部组织的部级科技成果鉴定。10月16日-20日多晶硅学术年会在我厂、所召开。12月10日，中国科学院学部委员、中国科学院北京半导体所副所长林兰英教授来厂、所讲学，并接受聘请为厂、所学术委员会顾问。

——1986年6月26日四川省委书记杨汝岱来厂、所视察。12月27日与四川大学共同承担的“非晶阳光电池研制”项目，通过了由省科委组织的专家鉴定。

——1987年1月19日，厂、所承担的“多晶硅九对棒还原炉的研制”项目，在成都通过了省科委组织的鉴定。6月5日，在国务院环境保护委员会召开的首届“全国环境优美工厂”表彰授奖大会上，我厂、所荣获“全国环境优美工厂”称号，厂、所长曾欣然出席了会议，并领取了奖牌和证书。9月11日厂、所自行设计制造的两台镓单晶炉安装调试完毕，运行正常。

——1988年2月12日厂、所科协举办第一届学术交流年会。6月26日中国有色金属工业总公司安环部会同中科院环境科学委员会在厂、所召开“企业生态工程”课题论证会。中科院马世骏教授和国家科委的单位的四十六名专家出席了会议。与会专家一致通过了课题论证。

——1989年6月10日，我所与中国剂量科学研究院、中国原子能科学研究院共同研制的“硅单晶电阻率标准样片”获国家一级比安装物质证书。

——1990年9月11日，根据总公司党组决定：中国半导体材料（集团）公司筹备组组长、厂、所长李本成率副厂、所长施尚林等十一名同志赴西安开展中国半导体材料（集团）公司筹备工作。10月，厂、所“739牌FZ种子嬗变掺杂硅单晶研磨片”获国家质量奖银质奖章。10月我 厂、所“739牌FZ中子嬗变掺杂硅单晶磨片”获国家银质奖章。10月23-27日，“电子、半导体材料一九九O年学术年会”在我厂、所召开。12月19日，大硅管开发攻关小组成立。

——1991年5月24日厂、所荣获李鹏总理签署的“为北京正负电子对撞机做贡献”荣誉证书。11月厂、所“企业生态工程研究”项目的科研成果通过了中国有色金属工业总公司组织的专家鉴定。

——1997年4月9-11日，国家计委组织国防科工委，财政部，电子部等部委参加的“军工配套项目‘496’工程”调研组来我厂、所考察。5月21日，国家计委以计司科技函（1997）018号文，正式批复我厂、所«年产100吨多晶硅国家重点工业试验性项目立项建议书»，同意立项。9月3，日国家计委以计科技（1997）157号文，批复了100吨年多晶硅项目可行性研究报告。总投资9940万元，其中国家投资1500万元。定2000年6月前完成。

——1998年9月电力器件用NTD-FZ单晶硅及硅片荣获国家级新产品称号。10月厂、所被四川省经贸委确定为“省级企业技术中心”。12月经316小时的运转，自行研制的节能型大还原炉产出国内第一炉Φ115x1500mm 多晶硅棒。炉产达392.2kg。

——2000年1月9日《年产100吨多晶硅工业性试验项目》通过了国家计委组织的鉴定验收。10月25日，国家发展计划委员会以计高技【2000】1419号文，向国务院提交关于审批峨眉半导体材料厂建设年产1000吨多晶硅高技术产业化示范工程项目建议书的请示报告。报告阐述了项目建设的必要性和建设规模、投资及经济效益后，认为拟在峨眉半导体材料厂建设的年产1000吨多晶硅高技术产业化示范工程项目，是利用我国具有自主知识产权的先进技术建设的，项目符合产业政策，立项条件已经具备。建议国务院批准该项目建议书。

——2003年承担国家级科研项目8项：万欧级高阻p型硅单晶研制；“496”工程条件保障建设专用高纯材料研制；高纯材料产业化；SiCl4产业化前期研究开发；高纯锑技术开发研究；“863”计划“高纯四氯化硅（4N）的纯化技术和规模化生产技术；锑化铟多晶材料规模化生产技术研究开发；高纯镓产业化平台技术。

——2004年组织开展了年产200吨太阳能级多晶硅技术改造项目的可行性研究工作。该项目已在2004年12月30日通过专家论证。同年项目建设已启动。

——2005年厂所销售收入首次突破亿元大关。

——2006年6月，在东方电气集团和国务院国有资产监督与管理委员会的支持下，由乐山市人民政府牵线，厂、所完成了国有资产无偿划转到东方气轮机厂，实现了强强联合，为厂、所的跨越式发展奠定了坚实的基础。“东汽”向厂、所注入6亿资金。经过三个月的托管期，10月份整体划转德阳“东方汽轮机厂”，11月变更法人代表。12月28日成为“东方汽轮机投资发展有限公司”下属子公司之一。10月28日东汽峨半年产500吨电路级多晶硅项目举行奠基仪式。

——2007年3月19日东汽峨半1500吨多晶硅项目在乐山五通启动。

——2008年4月29日东汽峨半光伏项目一期120MW工程奠基仪式在峨眉山市电子工业园区举行。9月东汽峨半年产500吨电路级多晶硅项目建成投产。

三、厂所44年生产经营情况统计

1965-2008厂、所主要经济指标表

中国半导体材料的一面旗帜

——峨嵋半导体材料厂、所改革开放30年成就回顾

一、顽强攻关，建成我国首条拥有自主知识产权的多晶硅生产线

多晶硅是重要的电子信息基础材料，有“微电子大厦基石”之称，它是生产单晶硅的唯一原料。我国1958年采用“传统西门子法”开始生产多晶硅。传统西门子工艺生产的多晶硅，不仅在数量、质量、品种和价格上不能满足电子信息产业发展的需要，而且能耗高、物耗高、生产成本高以及对环境污染严重，无法扩大生产，致使我国多晶硅生产逐年萎缩濒临消亡。由于半导体多晶硅在国民经济和国防军工领域的重要性，国家投入大量人力和财力，试图引进国外先进的多晶硅生产技术，但都未能如愿，在这种情况下，峨半厂、所从1987年开展了对多晶硅技术的攻关实验。经过10多年的顽强拼搏，终于攻克了多晶硅生产的“改良西门子法”中的4项核心技术，提前半年时间于1999年10月建成我国首条具有自主知识产权的年产100吨多晶硅生产线，同年底全面投入运行，并在2000年1月9日通过了国家鉴定验收。专家们一致认为该生产线从工艺到设备、从设计到操作，均是由我国科技工作者独立完成的系统工程。在实施过程中，广大科技人员艰苦攻关，勇于创新，解决了15项关键技术。它的成功，标志着我国已经基本掌握了世界上先进的多晶硅生产技术——改良西门子法，具有独立的设计、建设、管理更大规模多晶硅生产的技术和能力。该生产线荣获2001年国家计委颁发的“高科技产业化示范工程奖”，同年5月荣获四川省科技进步特别奖。

2001年后，峨半厂、所凭借所掌握和实施的改良西门子法核心技术，向国家成功申请了《1000吨/年多晶硅高技术产业化示范工程》项目。

二、技改扩产，产品档次不断提高，产量不断扩大

多晶硅 多晶硅还原炉实现从建产初期的3对棒，到6对棒、9对棒直至18对棒的成功扩大。2004～2005年峨半厂所完成了“年产200吨太阳能多晶硅生产线技改项目”，使产能提高到200吨/年。自行研制成功18对棒的大型节能高效还原炉，单炉产量可达1吨以上，长时间连续运行情况十分良好，使峨半厂、所无论在大型还原炉自行设计制造技术，还是应用技术上都稳步登上了一个新的台阶。

单晶硅 1995年以前，直拉单晶硅产品的尺寸都是Φ3英寸以下，市场竞争力不强。1996年以来，先后购进国产62型直拉炉10台，80型直拉炉3台，大型区熔炉炉体3台（自制电器），不仅使生产能力扩大了，而且通过技术创新，使主流产品尺寸由Φ3英寸提高到4-6英寸，提高了产品的竞争力。Φ8英寸直拉单晶硅在峨半厂、所试拉成功。区熔单晶硅先后攻克了中照掺杂和气相掺杂技术，极大地提高了断面不均匀率，满足了军工产品的需要。峨半厂、所还建立起与单晶硅生产相配套的Φ4-6英寸的切磨抛光生产线，提高了产品的技术含量和附加值。从1996年起，我们的直拉单晶硅产品打进了美国市场，从1998年起，硅抛光片产品打开了香港市场。我们还相继开发30多种技术含量高的新产品投放市场，其中有10多种新产品填补了国内空白。峨半所（厂）研制的区熔高阻硅单晶获省、部级各种奖项达20余项，其中6项属于我国尖端科技成果。

高纯材料 峨半厂所高纯材料包括了24个元素、50多个品种、280多种规格，纯度为5-7个“N” （99.999%～99.99999%），部分元素达到了8个“N”（99.999999%）。品种之多为全国之最，纯度之高为全国之冠。经技改扩产后，高纯锑、砷、锡、铟、碲、镉、磷等品种生产能力大幅度提高，其中：高纯锑的生产能力扩大了20倍，由年产500公斤增加到年产12吨，高纯砷的生产能力也增长了4-5倍，实现了产业化。峨半厂、所已成为全国最大的高纯金属生产研究基地，国内市场占有率达80%，并具备了大批量出口的能力。与此同时，峨半厂、所先后与信息产业部、兵器工业相关院所合作，在“气象卫星”、“资源卫星”、“尖兵卫星”等多项重点军工任务和重点工程中提供优质的Ga、In、As、Sb、Te、Cd等高纯材料，多次受到国务院、中央军委、国防科工委、科委、计委的通令嘉奖。

生产经营及主要产品产量 截止2007年底，峨半厂所生产经营及主要产品产量较1978年呈几十倍增长。如：1978年工业总产值为0.1亿元，2007年则为3.427亿元。主要产品产量近30年变化见下表。

主要产品 78年（产量：吨） 2007年（产量：吨）

多晶硅 6 155

单晶硅 2 132

硅片加工 0.178 47

高纯金属 2（产能） 65（产能）

三、 做大做强，各项工作齐头并进，成就显著

峨半厂、所以发展我国半导体材料工业为己任，始终致力于新产品、新工艺、新技术的研发，共取得重大科研成果300多项，完成新产品试制协议累计6000多项，先后为我国的洲际导弹、水下发射运载火箭、试验通讯卫星、北京正负电子对撞机、神舟六号飞船等国防军工及国家重点工程建设提供了急需的优质半导体材料，多次受到中共中央、国务院及中央军委通报表彰。尤其是改革放以来，科研、质量、安全环保等各项工作都取得显著成效。仅1984年——2005年峨半厂、所在多晶硅、单晶硅、高纯金属等方面共荣获科研成果奖87项，其中获得省部级二等奖以上的科研成果23项，三、四等奖的科研成果36项。其他获奖情况如下：

——1990年硅单晶磨片获国家优质产品银奖；

——1992年6月5日年被国家环境保护局授予全国环境保护先进企业称号；

——2000年峨半厂、所产品通过国家质量体系认证；

——2000年5月23日峨半厂所荣获省科技进步特别奖；

——2001年11月高纯金属，半导体用高纯金属在国际（天津）发明专利及新技术新产品博览会荣获金奖；

——2003年1月28日峨半厂所被四川省科学技术厅授予“四川省高新技术企业称号”；

——2006年被中华人民共和国国防科学技术工业委员会授予国防科技工业协作配套先进单位称号；

——2008年7月被国际科学技术工业委员会命名为国际科技工业先进技术研究应用中心晶体材料加工（应用）依托单位。

四、强强联合，走规模化产业集群发展道路

2001年2月26日美国晶体技术公司（AXT）合资组建的“嘉美高纯材料有限公司”正式挂牌，双方共同投资2880万元（我方75%，美方25%）建设一条年产20吨生产线。该项目于2002年投产，美国AXT公司包销产品的75%，年销售收入为3000万元，利税1000万元。该项目成功合作，是峨半厂、所高纯金属材料生产向规模化产业集群目标迈出的第一步。

2006年6月28日，东汽与峨半在成都签订了合作协议，强强联手，共同打造光伏产业链。

●总投资30亿元的 3×1500吨多晶硅项目在乐山五通桥区顺利推进。首个1500吨土建施工于2007年12月全面展开，工程建设按计划节点进行，现已进入设备安装阶段。第二个1500吨预计2009年9月建成投产，三期1500吨项目将于2009年启动。

●2007年6月13日～15日在峨眉山市大酒店成功举办了“2007年第三届中国太阳能级硅材料及太阳能电池研讨会”， 来自国内外的专家、学者、经销商等600多人云集峨眉山脚下，共话可再生能源的开发和利用。

●峨半厂所领导班子荣获“2007年度全省国有企业创建‘四好’领导班子先进集体”称号。

●2007年顺利通过四川三峡认证公司审核。当年8月份取得ISO9001：2000质量标准、ISO14004：2004环境标准和GB/T28001－2001职业健康安全三个标准的认证证书。并获得四川省质量技术监督局2007“质量月”共铸诚信企业荣誉称号。

●2008年4月29日东汽峨半总投资25亿元的240MW光伏项目一期工程奠基仪式在峨眉山市符汶河畔隆重举行。该项目一期120MW工程建设进展顺利，预计2009年上半年建成投产。

单晶硅分厂从事单晶硅的科研、生产已有四十多年的历史，经多年的发展，单 峨嵋半导体材料厂

晶硅的生产能力不断扩大。直拉单晶的产能达到12 0吨/年，其中太阳能级产品100吨/年、IC级单晶15吨/年、晶体管级产品5吨/年、区熔单晶产能30吨/年，最大直径Ф5 。其中NTDFZ单晶产品在国内市场占有较大份额，是我厂的拳头产品。我们也是国家唯一能提供真空区熔超高阻单晶硅的企业，产品广泛运用于特种器件的生产之中。

单晶硅分厂是专业从事直拉、区熔单晶科研、生产的下属单位，有大批专业技术人员和高水平的拉晶技术工人。拥有世界先进水平的F Z-30炉、C G6000、T D R80等硅单晶制造设备，有较强的设备管理队伍，国产区熔炉在我厂得到很好的使用，这是与电器改造水平分不开的。

多晶硅分厂从事多晶硅的研究、生产已有三十多年的历史，经过长期的技术攻关和生产系统的完善，先后解决了西门子工艺技术，并攻克了“改善西门子法”中的四项核心技术。拥有自主知识产权。随着“年产100吨多晶硅国家重点工 业实验线”的建成与完善，多晶硅的产能达到100吨/年，产品质量不断提高。产品的技术质量指标 满足电路级、晶体管级、太阳能级直拉单晶和区熔单晶的要求。同时，也结束了我们多晶硅不外销的历史，产品除满足自身的需要外，也对外销售，并得到客户的好评。2006年建成中国首条年产200吨多晶硅生产线，使我国多晶硅的生产技术跨入了世界先进行列。拥有中国产量最大、质量最好的具有自主知识产权的多晶硅生产线，同时拥有占国内80%的多晶硅专家和一支国内一流的工艺研究、生产制造、设备维护的专业技术队伍。

现有员工300多人，工程技术人员60多人。

单晶硅片生产加工，已有二十多年的历史。其中N〈100〉、P〈11 〉I C级抛光片曾获得国家银质奖，经过投入，现具备产能为硅抛光30万片/年、硅化腐片60万片、硅磨片280万片的能力。拥有一批世界先进水平的高精加工设备如D S261 ，26 5多线切割机、T S-23 内圆切割机、W-S-4000倒角机、SPEODFOM研磨机、抛光机等60多台套，最大加工直径达Ф6、最薄200微米研磨片等，能够为集成电路制造业、分离器件制造业提供高质量的单晶硅片。

东汽峨嵋半导体材料厂.所高纯事业部（原高纯金属及化合物材料分厂）创建于1964年，在国内最早从事高纯金属及化合物材料研发，是国内工艺和品种最齐全的高纯金属材料厂，也是国内唯一一家分析检测中心和环保设施配套齐全的高纯金属材料研究单位。

东汽峨半的发展战略是：在“十一五”末，主要产品年生产能力达到多晶硅5200吨、单晶硅1000吨、硅片5000万片、高纯金属100吨，年销售收入达到50亿元，并利用多晶硅优势，广泛寻求战略合作伙伴，共同打造光伏产业链，形成100亿元规模的产业集群。东汽峨半在实施500吨/年电路级多晶硅项目建设的同时，先后于2007年3月总投资30亿元，启动了3×1500吨多晶硅项目，于2008年4月总投资25亿元，启动了240MW光伏项目。首个1500吨建设已进入设备安装阶段。第二个1500吨将在2008年9月开工建设，三期1500吨项目将于2009年启动。光伏项目一期120MW工程建设进展顺利，计划2009年上半年建成投产。

东汽峨半将坚持科学发展观，坚持“多电并举”，加强人才引进培养战略的实施，培育造就一批高水平的技术队伍，加强对改良西门子法的系统研究，进一步巩固和提升硅材料、高纯金属的研制水平和制造能力，并积极进入太阳能光伏发电行业，形成多晶硅——单晶硅——硅片加工——光伏发电产业链，力争于“十一五”末，把东汽峨半建成国家级硅材料研究中心、国家级高纯金属研究中心、国家级半导体材料检测中心及多晶硅材料制备技术国家级工程实验室，成为领跑我国半导体材料科研、制造行业的高科技百亿企业。