信息功能材料国家重点实验室依托于中国科学院上海微系统与信息技术研究所（原中国科学院上海冶金研究所）。实验室是经国家计委批准于1991年利用世界银行贷款建立的。1992年12月，中国科学院批准实验室边建设、边科研、边开放。1995年6月，实验室通过了国家验收。1998年和2003年两次通过了国家评估。1998年被评为优秀国家重点实验室，2003和2008年均被评为良好国家重点实验室。

信息功能材料国家重点实验室依托于中国科学院上海微系统与信息技术研究所（原中国科学院上海冶金研究所）。实验室是经国家计委批准于1991年利用世界银行贷款建立的。1992年12月，中国科学院批准实验室边建设、边科研、边开放。1995年6月，实验室通过了国家验收。1998年和2003年两次通过了国家评估。1998年被评为优秀国家重点实验室，2003和2008年均被评为良好国家重点实验室。现任学术委员会主任为张杰院士，实验室主任为曹俊诚研究员。信息功能材料国家重点实验室在完善学科体系、增强基础研究力量、提高原始创新能力、加强学术带头人培养、面向国际科技前沿及国家重大战略需求开展基础和应用研究等方面取得了长足的进步。

信息功能材料是信息系统发展的先导和物质基础，它在资源、环境、健康、安全等领域发挥着巨大作用。信息功能材料国家重点实验室已经历了18年的建设与发展历程，在信息的获取、转换、处理和存储等科技前沿领域，瞄准化合物和硅基半导体材料与器件、微纳电子材料与器件及应用等方向，在发展新型信息功能薄膜材料及其制备新技术和新方法研究等方面具有深厚的研究积累，作为从事信息功能材料的重要国家科技力量，在国内外相关领域中具有重要的地位与影响。

实验室主要围绕信息的获取、转换、处理和存储等高科技前沿领域，研究并发展新型信息功能薄膜材料及其制备新技术和新方法，开展信息功能薄膜材料的电学、光学、磁学和结构特性等基本问题及其器件应用的研究。主要研究内容为：

（1）化合物半导体微结构材料与器件：包括光通信用量子阱激光器和探测器材料与器件，中远红外波段量子级联激光器材料与器件，微波毫米波器件与电路用异质结构材料，光电集成材料与器件，高效太阳电池等；

（2）硅基及新型信息功能薄膜材料：包括SOI材料制备新技术，微电子用SOI材料，光子集成用SOI材料，新型SOI材料，光子晶体材料等；

（3）太赫兹光电子学：包括太赫兹光电子器件与物理，太赫兹低维半导体振荡器设计与模拟等。

实验室拥有固态源分子束外延、气态源分子束外延、气相沉积、超高真空电子束镀膜、准分子激光沉积等大型薄膜材料制备系统，还有X射线四晶衍射、低温傅立叶变换光谱、光栅光谱、霍尔测试、电化学C-V测试、原子力显微镜、半导体器件参数测试仪、激光器参数测试仪等完整配套的分析测试仪器和器件制作工艺线。

实验室建立以来，在半导体输运理论、化合物半导体微结构材料与器件、SOI材料等方面取得了丰硕的研究成果，形成了自己的特色和优势，先后获得国家、中国科学院和上海市自然科学奖、科技进步奖10多项，其中“半导体输运的平衡方程理论”获得1995年国家自然科学二等奖，“锑化镓、砷化镓和磷化铟基高质量MBE半导体微结构材料”获得1997年国家科技进步三等奖。

实验室现有固定研究和技术人员23名，其中研究员8名，副研究员3名，高级工程师2名，9人拥有博士学位，6人拥有硕士学位，形成了知识结构和年龄层次合理、富有拼搏精神和创新能力的科研队伍。实验室还是依托单位材料科学与工程博士后流动站、微电子学与固体电子学博士点、半导体材料和半导体物理与半导体器件物理硕士点的一部分，现有在站博士后3名、在学博士生和硕士生20多名，成为实验室科研工作的生力军。

实验室建立以来，每年均设立了开放课题，并与国内外多个研究机构和大学的相关实验室建立了密切的合作关系，开展经常性的学术交流和互访活动，委派研究人员进行合作研究，对提高实验室的研究水平和扩大实验室的影响发挥了重要作用。