肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与
PN结相似，具有非线性阻抗特性（整流特性）。肖特基接触在
金属材料和半导体材料相接触的时候，界面处半导体的能带弯曲，形成
肖特基势垒，由于势垒存在大量的界面电荷。
1938年德国的W.H.肖特基提出
理论模型，对此特性做了科学的解释，故后来把这种金属与半导体的交界面称为肖特基结或肖特基势垒。其基本原理是由于半导体的
逸出功一般比金属的小，故当金属与半导体（以N型为例）接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体
表面层形成一个由带
正电不可移动的
杂质离子组成的
空间电荷区，如图1a所示，在此区中存在一个由半导体指向金属的电场，犹如筑起一座高墙，阻止半导体中的电子继续流入金属。
从图1b
肖特基势垒能带图可以看出在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基垒。电子必须高于这一
势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的
逸出功的差值