肖特基势垒（障壁）相较于
PN结最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)
耗尽层宽度。
并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为
欧姆接触。整流属性决定于金属的
功函、固有半导体的
能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。在设计半导体器件时需要对肖特基效应相当熟悉，以确保不会在需要欧姆接触的地方意外地产生肖特基
势垒。
由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及
晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的接面电压来
保护电路上的其它器件。
肖特基势垒
碳纳米管场效应晶体管FET：金属和碳纳米管之间的接触并不理想所以
层错导致肖特基势垒，所以我们可以使用这一势垒来制作肖特基二极管或者晶体管等等。