罗毅，1960年2月出生于北京，籍贯四川资阳，半导体光电子技术专家，中国工程院院士，清华大学电子工程系教授，北京信息科学与技术国家研究中心副主任。

1960年2月，罗毅出生于北京。

1983年，获得清华大学学士学位。

1987年，获得日本东京大学硕士学位。

1990年，获得日本东京大学博士学位。

1990年4月—1992年3月，任日本光计测技术开发株式会社中央研究所研究员。

1992年4月—1992年12月，任清华大学电子工程系讲师。

1992年12月起，任清华大学电子工程系教授。

1995年，获得国家杰出青年科学基金资助。

1997年—2012年，任集成光电子学国家重点联合实验室主任。

2021年，当选为中国工程院院士。

罗毅主要研究化合物半导体光电子器件及其集成应用技术，包括激光器、LED、光调制器、光探测器，及其在光纤通信、宽带信息感知、半导体照明等领域的应用。

罗毅致力于研究增益耦合分布反馈激光器，与电吸收调制器单片集成的增益耦合半导体激光器，以及其他种类的半导体光电器件；利用分子束外延（MBE）首次研制出带有损耗光栅的GaAlAs/GaAs多量子阱增益耦合DFB激光器，以及带有电吸收调制器的单片集成增益耦合DFBB激光器；提出并使用LPE和MOVPE混合生长法得到周期调制载流子光栅的新型1.55微米InGaAsP/InP增益耦合DFB激光器结构；利用LPE制得了1.3微米的InGaAsP/InP增益耦合DFB激光器；他的研究小组成功研制出了1.55微米InGaAsP/InP增益耦合DFB激光器和电吸收调制器的集成器件，这些器件可分别应用于2.5Gb/s，10Gb/s和40Gb/s的高速光纤系统。

从1999年起，罗毅开始了对氮化镓基光电器件，其中包括高亮度蓝、绿发光二极管和高功率HEMT器件的研究。发明网格状二维蓝宝石图形衬底，并优化其外延条件，将位错密度降低两个数量级；提出了载流子俘获与复合分别优化的台阶型InGaN/GaN多量子阱结构，较常规量子阱结构蓝光LED的发光内量子效率提高了25个百分点。系统优化了GaN基异质材料ICP刻蚀工艺，同时获得更高刻蚀速率和优化刻蚀条件以得到更好表面形貌。

自2003年起，罗毅开始研究固态照明的关键技术。常规封装白光LED用于照明时存在照明均匀性差、光能利用率低，导致半导体照明光源产品难以进入通用照明市场。他提出在常规封装LED器件外构置三维自由光学曲面将光线高效、均匀投射到被照明区域的思想和总光通量可简单线性扩展的光源模组拓扑结构，发挥LED体积小、可调控光线行为的优势，同时提高照明均匀性和光能利用率。专利成果转让至合作企业并实现了产业化，形成照明光源系列产品。

据2022年12月清华大学官网显示，罗毅已发表学术论文367篇。

据2022年12月清华大学官网显示，罗毅已获得授权发明专利34项。

据2022年12月清华大学官网显示，罗毅已获得国家技术发明二等奖3项，国家科技进步二等奖1项。

罗毅在清华大学任教期间，讲“集成光电子学概论”课程。

“罗毅是国际公认的优秀光源增益耦合DFB激光器的开创者之一。”（《新京报》评）

“罗毅在支撑半导体照明、宽带光纤网络的光电子器件和工程化核心技术领域作出了突出贡献。”（清华大学评）