缓冲电路（Snubber Circuit）又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件（如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等）的应用技术中，起着更重要的作用。

缓冲电路的基本工作原理是利用电感电流不能突变的特性抑制器件的电流上升率，利用电容电压不能突变的特性抑制器件的电压上升率。图示以GTO为例的一种简单的缓冲电路。其中L与GTO串联,以抑制GTO导通时的电流上升率dI/dt,电容C和二极管D组成关断吸收电路，抑制当GTO关断时端电压的上升率dV/dt，其中电阻R为电容C提供了放电通路。缓冲电路有多种形式，以适用于不同的器件和不同的电路。

吸收电路一般由电阻、电容和二极管组成，常和开关管或二极管（包括高频整流二极管）并接，使开关管上电压的应力减小、EMI减少，使负载线的轨迹不超过安全工作区，不发生二次击穿。下面仍以反激转换器为例进行介绍。

当图1所示的控制脉冲Ug在t=t1为低电压时开关管V趋于关断，Ic下降，由于Lp、LLT的作用，集电极电压增加，形成Isnb吸收电路电流，以维持变压器初级绕组电流Ip不变（Ip=IC十ISNb）.ISNb流过D1对C1充电。

如果开关管V关断的很快（最好条件），集电极电压的变化率dUC/d/由下式决定

随着开关管V的关断，线性增加的集电极电压Uce在t=t3时达到2倍Ui的电压。短时间之后（延时决定于初级至次级漏电感的大小），当次级绕组电压上升到Ucz加上D2的压降时，形成圆弧形上升的电流Iso在这时反激电流将从初级至次级电路换流，换流过程的速率由次级漏电感及外部电感电容来决定。

图1中示出了初、次级换流过程的波形。在t=t2，Ip=0时，开关管V的Uce=Uceo的70%为好。此后在Isnb充电下，Uce继续斜线上升，当上升到2×Ui时，极性反转的P4电压耦合到△，足以使D3导通，因此在t=t3时出现IFB，抑制了Uce的继续上升。在IFB=0时，次级达到I'S电流稳压值。

如果要实现上述理想情况，需要仔细地选择参数和实验调整。图2示出了无吸收环节情况。图3示出了有吸收环节的情况。

值得指出的是，如果开关管V装有散热器时，散热器是集电极（或是隔电传热式）。在开关管V的集电极与电源公共线之间存在电容时，它为集电极电流提供了工条附加的通路。它也是引起集电极电流存在的事实。不过，它与安装有关，与开关管本身存在的Miller电流效应不能混淆。另外，它的数值也比较大一些，它的存在对减小dUcd/dt是有好处的。