突触后电位（postsynaptic potential ），略称PSP。也可称突触电位（synaptic poten- tial）。这是突触传递在突触后神经元中所产生的电位变化。有兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位，另外还区别为以化学传递物质为媒介的化学传递所产生的突触后电位与以突触前神经元的动作电流进行电传递而产生的突触后电位。

突触后电位 postsynaptic potential 略称PSP。也可称突触电位（synaptic poten- tial）。这是突触传递在突触后神经元中所产生的电位变化。有兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位，另外还区别为以化学传递物质为媒介的化学传递所产生的突触后电位与以突触前神经元的动作电流进行电传递而产生的突触后电位。兴奋性突触后电位是去极化性质，抑制性突触后电位多数场合是超极化性质，并通过膜电导增加的短路效应使其它的电位变化减少。当这些突触后电位总和超过去极化侧的阈值时，便产生动作电位。

突触前膜将递质释入突触间隙后，经扩散到达突触后膜，作用于后膜上的特异性受体或化学门控通道，引起后膜对某些离子通透性的改变，使某些带电离子进出后膜，突触后膜即发生一定程度的去极化或超极化，从而形成突触后电位。