抑制性突触后电位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位，突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI 通道开放，引起CI 内流，突触后膜发生超极化。

（1）突触前膜释放递质是Cl-内流引发的；

（2）递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的；

（3）IPSP是局部电位，而不是动作电位；

（4）IPSP是突触后膜离子通透性变化所致，与突触前膜无关。

突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI-通道开放，引起CI-内流，突触后膜发生超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜K+通道的开放或Na+、Ca2+通道的关闭有关。