王曦，男，汉族，1966年8月生，江苏南通人，2001年4月加入中国共产党，1990年6月参加工作，中国科学院上海冶金研究所材料物理专业毕业，研究生学历，工学博士，中国科学院院士，研究员。现任第二十届中央候补委员，广东省委常委、省委统战部部长、省政协党组副书记。

1983-1987年 清华大学工程物理系核材料科学专业学习

1987-1990年 中国科学院上海冶金研究所材料物理专业硕士研究生

1990-1994年 中国科学院上海冶金研究所研究实习员（其间：1990.09-1993.12 中国科学院上海冶金研究所材料物理专业在职研究生学习，获工学博士学位；1993.07-1994.05 澳大利亚联邦科学与工业研究院访问学者）

1994-1995年 中国科学院上海冶金研究所副研究员

1995-1996年 中国科学院上海冶金研究所第十六研究室副主任

1996-1997年 中国科学院上海冶金研究所第三研究室副主任

1997-1998年 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室主任

1998-2001年 中国科学院上海冶金研究所第三研究室主任（1996.05-1998.06 德国罗森多夫研究中心访问学者）

2001-2002年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所第三研究室主任

2002-2004年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长助理、第三研究室主任兼上海新傲公司经理（其间：2003.09-2003.12 上海市科技党校中青年干部培训班学习）

2004-2007年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长、党委副书记

2007-2009年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所党委书记、副所长

2009-2010年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所党委书记、常务副所长（2009.12当选中国科学院院士）

2010-2016年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长

2016-2019年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长兼中国科学技术协会副主席（2017.04任中国科学院上海高等研究院院长）

2019-2020年 科学技术部副部长、党组成员，中国科学技术协会副主席（兼）

2020-2022年 广东省政府副省长、党组成员

2022-2024年 广东省委常委，省政府副省长、党组成员

2024- 广东省委常委、省委统战部部长，省政协党组副书记

第十九届、第二十届中央候补委员，中共广东省第十三届委员会委员，广东省第十三届人大代表。

1966年8月，王曦出生于上海，原籍江苏南通。1983年，从江苏省南通中学毕业，并考入清华大学工程物理系。

1987年，提前毕业并保送到中国科学院上海冶金研究所（现中国科学院上海微系统与信息技术研究所，简称上海微系统所），主攻离子注入方向，先后获得硕士（1990年）、博士学位（1993年）。

1993年，博士毕业后留所工作，先后担任助理研究员、副研究员、室副主任、研究员（1996年破格晋升）、博士生导师（1998年-）、室主任、所长助理。

1993年7月，赴澳大利亚联邦科学与工业研究院访问学者（至1994年5月）。

1996年5月，前往欧洲最大的离子束材料研究基地德国罗森多夫研究中心做洪堡访问学者。

1998年6月，等不及还有一年才结束的洪堡访问学者研究，回国竞聘成为离子束国家重点实验室主任，同时担任“高端硅基SOI材料”制备研究项目的负责人。

1999年，获得国家杰出青年科学基金资助。

2001年7月，上海微系统所发起成立了上海新傲科技有限公司，王曦和SOI课题组的几位骨干一同进入公司。

2004年4月，出任上海微系统所党委副书记兼副所长。

2007年1月，出任上海微系统所党委书记兼副所长，上海新傲科技股份有限公司董事长，国家中长期科学与技术发展规划“极大规模集成电路制造技术及成套工艺（02专项）”科技重大专项总体专家组副组长。

2009年3月，担任上海微系统所党委书记、常务副所长，法定代表人。12月，当选中国科学院院士（技术科学部）。

2010年8月26日，当选为第十一届全国青年联合会副主席，担任科学技术界别工作委员会主任委员。

2012年，被聘为上海市决策咨询委员会成员。

2013年5月，在上海市科委和嘉定区支持下，在嘉定注册成立上海微技术工业研究院，参考比利时IMEC和台湾工研院ITRI等模式，建立集研发、工程、资讯、孵化及投资于一体的产业加速体系。

2016年6月2日，中国科协第九次全国代表大会举行第九届全委会第一次会议，王曦当选中国科学技术协会第九届全国委员会副主席。

2017年5月，出任中国科学院上海高等研究院院长。

2018年6月，出任亚洲科学理事会主席（至2020年6月）。

王曦长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了中国SOI材料研发和生产基地。2008年制备出中国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。

截至2017年，王曦主持完成了包括国家“863”计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个国家级项目，并获得上海市科学技术进步一等奖，国家科技进步一等奖，中国科学院杰出科技成就奖等。

成果奖励

截至2012年，王曦在中国科学院上海微系统与信息技术研究所（原中国科学院上海冶金研究所）一共培养博士生10多名，硕士生4名。根据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息、全国图书馆参考咨询联盟，王曦培养学生情况如下：

王曦是中国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物，他长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将其应用于高端集成电路衬底材料SOI的开发，解决了中国急需的航天电子器件的“有无”问题；基于这一核心技术创建了中国唯一的SOI材料研发和生产基地，成功实现了中国SOI材料的产业化，推动了中国微电子材料的跨越式发展。（中国科学院上海分院评）