热退火工艺提供了一种用于加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚（苯乙烯）-b-聚（硅氧烷）嵌段共聚物组分,其中聚（苯乙烯 ）-b-聚（硅氧烷）嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg / mol;抗氧化剂，其中共聚物组合物包含＞2wt%的抗氧化剂，基于嵌段共聚物组分的重量 ；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜 ；通过在240到35C℃ 和包含＞ 20wt%02的气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚（苯乙烯）嵌段和将退火薄膜中的聚（硅氧烷）嵌段转换成SiOx。

在定向自组装中的应用：近两年来，嵌段共聚物定向自组装（ DSA， Directed Self-Assembly of BlockCopolymer）光刻技术作为一种新兴的光刻技术越来越受到人们的关注。其原理与之前所叙述的几种技术有很大不同，是利用嵌段共聚物在热退火或溶剂退火等条件下分相形成纳米结构，以形成的纳米结构作为模板对衬底进行刻蚀实现图形化的一种技术。