江安全，男，1969年8月生。复旦大学微电子研究院研究员，博士生导师，上海市东方学者特聘教授。

1994年08月-1999年06月中科院固体物理所，凝聚态物理，博士

1988年08月-1992年06月兰州大学材料科学系，材料科学，本科

2006年03月-至 今复旦大学微电子学院，研究员

2001年02月－2006年02月剑桥大学地球科学系和工程系，博士后

1999年06月－2001年02月中国科院物理所和香港科大，博士后

科研综述

1、基于CMOS工艺后端的不挥发薄膜存储器：铁电薄膜存储器（FeRAM），变阻存储器（RRAM），相变存储器(PCRAM)，非挥发闪存(FLASH)等；

2、新型纳米半导体器件的的工艺和物理；

3、高介电常数的铁电材料研制及其在微波器件上的应用；

4、铁电液晶和压电、热释电材料等。

近年来在Nature Materials、Advanced Materials、Advanced Functional Materials、Physical Review B、Applied Physics Letters等国际刊物发表论文100多篇，获得国内外授权发明专利30多项。在The 7th AMF-AMEC-2010、ISIF-2010、The 10th ICSICT-2010、ISIF-2011、The 8th PFMTW-2010、CIMTEC2012、ISIF-2012、JKC-FE12、KPS-2018、 IMF2017、the ISIF 2019等国际会议中作邀请报告。

现有硕、博研究生6人，已毕业一人。教授课程有《铁电材料和器件》等。

国家杰出青年科学基金获得者；上海市高校特聘教授（东方学者）、教育部新世纪优 秀人才、上海市浦江人才等研究计划。

担任EPL副编辑，IEEE 国际电子器件大会（IEDM）存储器分会委员，国际智能材料大会（CIMTEC）存储器分会顾问委员会委员，国际集成功能器件顾问委员会委员 (ISIF 2007－2009)等。