杨宇，1967年1月生，贵州兴仁县人，
云南大学教授，博士生导师。现任云南大学化学与材料工程学院副院长，材料科学与工程系系主任。
中国仪器仪表学会仪表材料学会常务理事。
杨宇，云南大学化学与材料工程学院副院长，材料科学与工程系系主任。
中国仪器仪表学会仪表材料学会常务理事。
（1）用
固相反应法结合冷压烧结工艺制备出当时国内最高临界电流密度的Bi系氧化物高温超块材(Jc～2000A/cm 2液氮温区)；
（2）国际上率先生长出不同结构的SiGe/Si量子阱
发光材料，解决了硅基量子阱发光材料的关键生长工艺；
（5）在
博士后流动站工作期间，为中德联合实验室解决了Si集成电路上粘附力强、低电阻的不同金属电极制备的特殊工艺问题；
（6）采用
磁控溅射技术于非晶硅基底上制备出Ge晶体薄膜，在国际上首先探索到Ge晶体大规模产业化应用的路子；