在
极紫外光刻进行
曝光时,光源中的非13.5nm波长的成分,称为带外辐射。
导致
极紫外光刻胶图形
分辨率不够和
边缘粗糙度较高的一个很重要的原因是曝光时光源中的非13.5nm波长的成分,又称带外(out of band,OOB)辐射。而且OOB辐射还会导致
光刻胶的
放气量增大,增大光学系统被污染的概率。为此,光刻材料供应商专门设计了一种保护层材料(OOB protection layer,OBPL),它被涂覆在极紫外光刻胶表面,既能吸收OOB辐射又能阻挡光刻胶放气。
带外辐射材料在化学性质上需与极紫外胶兼容,即OOB的材料的溶剂不能溶解极紫外胶,这样在它们的界面处就不会形成混合层。OOB需能够很快地溶解于标准的TMAH
显影液中,没有残留。对于曝光图形的半周期是28 nm,有OOB保护的光刻胶图形有更好的
线宽粗糙度和陡峭的侧壁,也增大了
聚焦深度。