周鹏，男，汉族，复旦大学微电子学院副院长，教授，博士生导师，国家杰出青年科学基金获得者。毕业于复旦大学物理系获博士学位，2013年担任复旦大学微电子学院教授。2016年获国家自然科学基金优秀青年科学基金资助，2018年入选科技部中青年领军人才，2019年获国家杰出青年科学基金资助，入选第四批国家“万人计划”科技创新领军人才。

周鹏教授，博士生导师。先后获得复旦大学 “卓学计划”人才支持，上海市青年科技启明星、国家自然基金委优秀青年资助。微电子学院先进电子器件研究所副所长，主持“上海市微纳器件与工艺专业技术服务平台”工作。于2000年、2005年分别获复旦大学物理学学士和博士学位。2006-2007年在首尔国立大学Inter-大学半导体高级研究中心任访问学者。主持了国家重大专项子课题、自然科学基金、上海市教委科技创新重点项目、973子课题等12项国家部委科研项目。 出版中英文5本著作章节，在Nature Nano，Advanced Materials，Nano Lett，Advanced Functional Materials，2D Materials, ACS Nano，Carbon, Applied Physics Letters, Small, IEEE Electron Device Letters等发表第一作者及通信作者论文50余篇。其中2007年发表在Applied Physics Letters的研究工作已被SCI他引141次。获得授权中国发明专利6项。所培养学生攻读学位期间获得了国家奖学金、企业奖学金及各类一等奖学金，毕业后进入华为、展讯、AMD及SMIC等国际影响力企业。2022年12月，据复旦大学微电子学院官方公告，该学院教授周鹏、研究员包文中及信息科学与工程学院研究员万景团队，研发出性能优异的异质 CFET 技术。相关成果已经发表于《自然 — 电子学》杂志上。

2024年11月6日，复旦大学成立基础研究发展中心，主任由微电子学院教授周鹏。

1996.9—2000.6，复旦大学物理学系，获学士学位

2000.9—2005.6，复旦大学信息科学与工程学院，获博士学位

2006.9—2007.8，韩国首尔国立大学Inter-University半导体研究中心，访问学者

国家自然科学基金项目，基于过渡金属氧化物薄膜的新型电阻式存储的可靠开关机理及器件制备技术研究

国家自然科学基金项目，碳基电路中的纳米尺度阻式存储稳定实现及物理机制

上海市教育委员会科技创新重点项目，高迁移率石墨烯/栅叠层制备及物理特性研究

国家“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”重大专项项目，石墨烯电子器件与集成技术研究

新型二维层状半导体电子器件与特性研究和下一代CMOS兼容非易失存储器。

集成电路工艺和新型二维半导体功能器件。

具体包括原始创新石墨烯上原子层沉积技术应用，下一代非挥发存储器工作机制与大规模制造工艺，碳基电路存储器与晶体管集成技术以及MoS2，BN，NbSe2等其他二维晶体应用研究等。为中芯国际、华虹、士兰等重要集成电路制造企业研发部门提供技术咨询。

复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。同时，研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，是当前国际最短沟道闪存器件，并突破了硅基闪存物理尺寸极限（约15纳米）。在原子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。该工作将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。

本科课程：应用光伏学

研究生课程：半导体存储材料、器件与工艺

2019年8月2日，入选2019年度国家杰出青年科学基金建议资助项目申请人名单。

2024年8月，获2024年“科学探索奖”。

代表性论文：

Zhou Peng, Chen Lin，Lv Hangbing，Wan Haijun，Sun Qingqing, Chapter‘Nonvolatile Memory Device: Resistive Random Access Memory’in Book‘Nano-Semiconductors Device and Technology’，Taylor & Francis Group，ISBN：2011.

第一作者和通信作者论文：

合作者发表论文选录：