俞文杰，男，1983年7月出生，上海人，2011年6月参加工作，研究员、博士生导师。现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长，上海集成电路材料研究院有限公司董事长兼总经理，上海市青年联合会第十三届副主席。

1983年7月，俞文杰出生。

2001年9月-2005年6月，复旦大学本科/学士。

2005年9月-2011年6月，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究生/博士。

2009年9月-2011年6月，德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich) 联合培养博士生。

2011年6月起，历任上海微系统所助理研究员、副研究员、研究员。

2019年11月起，任上海微系统所所长助理、战略研究室主任。

2020年6月起，任上海集成电路材料研究院有限公司董事长、总经理。

2020年7月起，任上海微系统所所务委员、战略研究室主任。

2020年12月起，任上海微系统所所务委员、战略研究室主任、硅基材料与集成器件实验室代理主任。

2021年11月起，任上海微系统所所务委员、硅基材料与集成器件实验室主任、党总支书记。

2022年10月起，任上海微系统所副所长。

2024年01月起，任上海市青年联合会第十三届委员会副主席。

2023年11月，经研究，决定俞文杰同志试用期考核合格，正式任上海微系统与信息技术研究所副所长，任职时间从2022年10月起计算。

2024年1月18日，上海市青年联合会第十三届委员会第一次全体会议召开，会议选举俞文杰为上海市青年联合会第十三届委员会副主席。

科研综述

俞文杰长期从事集成电路材料领域研究工作，在绝缘体上硅（SOI）、12英寸大硅片超平坦化、集成电路材料基因组等领域取得多项创新性成果。在IEEE Electron Device Letter、 IEEE Transactions on Electron Devices、 Advanced Functional Materials等权 威期刊发表了SCI论文100余篇，申请发明专利150余件，著有《集成电路材料基因组技术》。

科研成果

俞文杰带领平均年 龄仅36 岁的科研团队，经过8年的艰苦攻关，实现国产商用300毫米大硅片零的突破，打破中国集成电路用300毫米大硅片完全依赖进口的局面。他和团队还突破了先进逻辑电路等关键产品技术，并在晶体生长、超平坦化、极限表征等基础研究方面取得一系列成果，解决了中国集成电路产业战略急需问题。

专利成果

(1)基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法.2021.第2作者.专利号: CN109935628B

(2)改善自热效应的SOI器件及其制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111986996A

(3)具有纳米级空腔结构的SOI衬底及其制备方法.2020.第1作者.专利号: CN111952240A

(4)具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法.2020.第1作者.专利号: CN111952183A

(5)具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法.2020.第1作者.专利号: CN111952238A

(6)减少侧边漏电的SOI场效应晶体管及其制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952182A

(7)具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952188A

(8)可降低对准难度的SOI器件及其制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952185A

(9)具有隔离层的鳍式场效应晶体管及其制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952181A

(10)具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952187A

(11)基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952189A

(12)具有空腔结构的半导体衬底及其制备方法.2020.第1作者.专利号: CN111952239A

(13)具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法.2020.第1作者.专利号: CN111952241A

(14)基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952186A

(15)基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法.2020.第2作者.专利号: CN111952184A

(16)高通量气相沉积设备及气相沉积方法.2020.第2作者.专利号: CN110408910B

(17)利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法.2019.第3作者.专利号: CN106711019B

(18)高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法.2019.第2作者.专利号: CN110306160A

(19)用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法.2019.第1作者.专利号: CN105810694B

(20)基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法.2019.第1作者.专利号: CN105914445B

(21)SiGeSn材料及其制备方法.2019.第3作者.专利号: CN106328502B

(22)一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法.2018.第1作者.专利号: CN105895575B

(23)基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法.2018.第1作者.专利号: CN105789189B

(24)场效应晶体管结构及其制备方法.2018.第4作者.专利号: CN107871780A

(25)基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法.2016.第1作者.专利号: CN105895507A

(26)一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法.2016.第1作者.专利号: CN105633002A

(27)一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法.2016.第1作者.专利号: CN105633001A

(28)一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法.2016.第1作者.专利号: CN105633084A

(29)一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法.2016.第1作者.专利号: CN105552019A

(30)一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法.2016.第1作者.专利号: CN105428358A

(31)一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法.2016.第1作者.专利号: CN105390495A

(32)基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法.2015.第4作者.专利号: CN105097846A

(33)基于Si/SiGe/Si量子阱MOSFET的生物传感器及其制备方法.2015.第2作者.专利号: CN104730111A

(34)基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法.2015.第2作者.专利号: CN104730137A

(35)基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法.2015.第2作者.专利号: CN104713931A

(36)一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法.2014.第1作者.专利号: CN103558279A

(37)一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法.2014.第1作者.专利号: CN103558280A

(38)一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法.2014.第2作者.专利号: CN103560152A

(39)一种隧穿场效应晶体管及其制备方法.2014.第2作者.专利号: CN103560153A

(40)一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法.2014.第2作者.专利号: CN103558254A

(41)一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法.2013.第1作者.专利号: CN103137546A

(42)一种绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法.2013.第1作者.专利号: CN103137547A

(43)一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法.2013.第2作者.专利号: CN103137539A

(44)一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法.2013.第2作者.专利号: CN103137538A

(45)一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法.2013.第2作者.专利号: CN103137537A

(46)一种图形化绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法.2013.第1作者.专利号: CN103137565A

参与会议

(1)High Hole Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-well Transistor 2015-10-24

(2)High Hole Mobility (s)Si/SiGe/(s)SOI Quantum Well p-MOSFETs 第八届中国功能材料及应用学术会议 2013-08-24

(3)Characteristics of higher-κ dielectric LaLuO3with TiN as gate stack 2012-10-29

(4)Hole mobility enhancement of quantum-well p-MOSFETs on sSi/sSi0.5Ge0.5/sSOI heterostructure 2012-05-14

(5)High Mobility Si/Si0.5Ge0.5/strained SOI p-MOSFET with HfO2/TiN Gate Stack 2010-11-01

发表论文

(1)Suspended MoS2Photodetector Using Patterned Sapphire Substrate.SMALL.2021.第8作者

(2)High-Performance MoS2Photodetectors Prepared Using a Patterned Gallium Nitride Substrate.ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES.2021.第6作者

(3)Chlororespiration protects the photosynthetic apparatus against photoinhibition by alleviating inhibition of photodamaged-PSII repair in Haematococcus pluvialis at the green motile stage.ALGAL RESEARCH-BIOMASS BIOFUELS AND BIOPRODUCTS.2021.第2作者

(4)基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜.半导体技术.2021.第7作者

(5)Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS.2021.通讯作者

(6)DFT and Raman study of all-trans astaxanthin optical isomers.SPECTROCHIMICA ACTA PART A-MOLECULAR AND BIOMOLECULAR SPECTROSCOPY.2021.第3作者

(7)2D III-Nitride Materials: Properties.Growth.and Applications.ADVANCED MATERIALS.2021.第9作者

(8)Dietary Haematococcus pluvialis powder supplementation affect carotenoid content.astaxanthin isomer.antioxidant capacity and immune-related gene expression in Pacific white shrimp.Litopenaeus vannamei.AQUACULTURE RESEARCH.2021.第1作者

(9)Exogenous sodium fumarate enhances astaxanthin accumulation in Haematococcus pluvialis by enhancing the respiratory metabolic pathway.BIORESOURCE TECHNOLOGY.2021.第1作者

(10)Reaction of titanium-modulated nickel with germanium-tin under microwave and rapid thermal annealing.ACTA PHYSICA SINICA.2021.第7作者

(11)Astaxanthin isomers: Selective distribution and isomerization in aquatic animals.AQUACULTURE.2020.第1作者

(12)Comparison of effect of dietary supplementation with Haematococcus pluvialis powder and synthetic astaxanthin on carotenoid composition.concentration.esterification degree and astaxanthin isomers in ovaries.hepatopancreas.carapace.epithelium of adult female Chinese mitten crab (Eriocheir sinensis).AQUACULTURE.2020.第2作者

(13)Phase evolution of ultra-thin Ni silicide films on CF4plasma immersion ion implanted Si.NANOTECHNOLOGY.2020.通讯作者

(14)Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2-xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation.APPLIED PHYSICS EXPRESS.2020.第5作者

(15)Strain enhancement for a MoS2-on-GaN photodetector with an Al2O3stress liner grown by atomic layer deposition.Strain enhancement for a MoS2-on-GaN photodetector with an Al2O3stress liner grown by atomic layer deposition.PHOTONICS RESEARCH.2020.第5作者

(16)Evidence for ferromagnetic order in the CoSb layer of LaCoSb2.PHYSICAL REVIEW B.2020.第9作者

(17)Artificial Carbon Graphdiyne: Status and Challenges in Nonlinear Photonic and Optoelectronic Applications.ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES.2020.第5作者

(18)基于铁电材料的人工突触器件的研究进展.Research progress of artificial synaptic devices based on ferroelectric materials.功能材料与器件学报.2020.第6作者

(19)Monolithic integration of MoS2-based visible detectors and GaN-based UV detectors.PHOTONICS RESEARCH.2019.第7作者

(20)Realization of wafer-scale nanogratings with sub-50 nm period through vacancy epitaxy.Nature Communications.2019.其他(合作组作者)

(21)A T-Shaped SOI Tunneling Field-Effect Transistor With Novel Operation Modes.IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY.2019.通讯作者

(22)Wafer-Scale Fabrication of42degrees Rotated Y-Cut LiTaO3-on-Insulator (LTOI) Substrate for a SAW Resonator.ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS.2019.第15作者

(23)基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真.Simulation of Total Ionizing Dose Effect in Tunneling- FET and MOSFET Based on FDSOI.半导体技术.2019.第6作者

(24)3d local manipulation of the metal-insulator transition behavior in vo2thin film by defect-induced lattice engineering.ADVANCED MATERIALS INTERFACES.2018.第9作者

(25)High-K substrate effect on thermal properties of2D InSe few layer.JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS.2018.第8作者

(26)Band alignment of In2O3/beta-Ga2O3interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy.APPLIED PHYSICS LETTERS.2018.第8作者

(27)Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer.Improvement of Nickel-Stanogermanide Contact Properties by Platinum Interlayer.中国物理快报：英文版.2018.第7作者

(28)Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties.Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties.纳米研究：英文版.2018.第13作者

(29)杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响.Influence of Impurity Adsorption on Electrical Properties of Back-Gated MoS2Field Effect Transistors.电子器件.2018.第6作者

(30)具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS_2/SiO_2场效应晶体管.86mV/dec subthreshold swing of back-gated MoS_2FET on SiO_2.JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES.2017.通讯作者

(31)Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Epitaxial NiSi2Contacts and Dopant Segregation.Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky-Barrier Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors with Epitaxial NiSi2Contacts and Dopant Segregation.中国物理快报：英文版.2017.第6作者

(32)Monolayer WxMo1-xS2Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect Transistors.ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS.2017.第3作者

(33)Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky Barrier MOSFETs with Epitaxial NiSi2Contacts and Dopant Segregation.Chinese Physics Letters.2017.通讯作者

(34)Ion-sensitive field-effect transistor with ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well for high voltage sensitivity.MICROELECTRONIC ENGINEERING.2016.通讯作者

(35)Investigation of coulomb scattering on ssi/si0.5ge0.5/ssoi quantum-well p-mosfets.JOURNAL OF SEMICONDUCTORS.2016.通讯作者

(36)700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理.Mechanism of NiSi_(0.7)Ge_(0.3) epitaxial growth by Al interlayer mediation at700℃.物理学报.2016.第5作者

(37)Band alignment of atomic layer deposited high-k Al2O3/multilayer MoS2interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy.JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS.2015.通讯作者

(38)Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates.CHINESE PHYSICS B.2015.第6作者

(39)AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with Polarized P(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating.SCIENTIFIC REPORTS.2015.第3作者

(40)高锡含量锗锡合金和镍反应的形貌研究.Morphology research of high Sn concentration GeSn alloy reacted with Nickel.功能材料与器件学报.2015.第5作者

(41)Band alignment of HfO2/multilayer MoS2interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy: Effect of CHF3treatment.APPLIED PHYSICS LETTERS.2015.第8作者

(42)High performance strained Si0.5Ge0.5quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-k/metal-gate last process.Superlattices and Microstructures.2015.通讯作者

(43)Experimental Investigation on Alloy Scattering in sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI Quantum-Well p-MOSFET.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES.2014.第1作者

(44)Experimental Study on NBTI Degradation Behaviors in Si pMOSFETs Under Compressive and Tensile Strains.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS.2014.第4作者

(45)Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis.Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis.中国物理快报：英文版.2014.第2作者

(46)Impact of Si cap.strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs.MICROELECTRONIC ENGINEERING.2014.

(47)热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散.Ge Inter-diffusion in Si/SiGe/Si Hetero-structure during Thermal Processing.功能材料与器件学报.2014.第3作者

(48)High Voltage AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with RegrownIn0.14Ga0.86N Contact Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process.Applied Physics Express.2014.通讯作者

(49)Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO_3Gate Dielectric.Chinese Physics Letters.2014.第1作者

(50)C~+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究.Improved NiSiGe Surface and Interface Morphologies on C Pre - implanted SiGe.功能材料与器件学报.2013.第2作者

(51)Hole mobility of Si/Si0.5Ge0.5quantum-well transistor on SOI and strained SOI.IEEE Electron Device Letters.2012.第1作者

(52)High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5quantum well p-MOSFETs with higher-κ/Metal-Gate.Solid State Electronics.2011.第1作者

(53)PDSOI MOS器件总剂量辐射效应和FDSOI高迁移率MOS器件研究.2011.第1作者

(54)硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固.Total Dose Radiation Hardening Process for SIMOX material with Si Nanocrystals Formed by Si Ion Implantation.功能材料与器件学报.2011.第3作者

(55)浮栅存储器的单粒子辐射效应研究进展.Single event effect in floating gate memories.功能材料与器件学报.2010.第7作者

(56)用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力.第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009.第4作者

(57)浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展.第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009.第6作者

(58)注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响.第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009.第3作者

(59)应用于抗辐照SRAM的地址转换监控电路的设计.第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009.第4作者

(60)SOI器件总剂量辐射效应研究进展.第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009.第1作者

(61)Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts.Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts.中国物理C：英文版.2008.第4作者

(62)Total dose radiation effects on SOINMOS transistors with different layouts.CHINESE PHYSICS C.2008.第4作者

(63)部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系(英文).高能物理与核物理.2007.第1作者

(64)部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态.Worst- Case Bias during Total Dose Radiation of Partially Depleted SOI MOSFET.功能材料与器件学报.2007.第1作者

(65)SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与^60Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对.Saturation of back - gate threshold voltage shift in SOI NMOS transistors at high total dose for X -ray and ^60Co irradiations.功能材料与器件学报.2007.第5作者

(66)利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文).第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2).2007.第1作者

(67)部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系.Bias Dependence of Total Dose Effect of Partially Depleted SOI MOSFET.高能物理与核物理.2007.第1作者

(68)注硅对SIMOX材料性能影响的研究.第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2007.第5作者

(69)部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文).功能材料与器件学报.2007.第1作者

(70)总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布.第六届中国功能材料及其应用学术会议.2007.第3作者

(71)利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能.Improved SOI material by Si ion implantation for radiation protection.功能材料.2007.第1作者

(72)注硅对SIMOX材料性能影响的研究.A Study on the effect of silicon implantation on SIMOX SOI.功能材料.2007.第5作者

(73)总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布.Trapped charge buildup during total dose irradiation of SOI MOSFET.功能材料.2007.第3作者

(74)SOI NMOSFET总剂量辐射效应偏置依赖关系的模拟.第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集.2005.第1作者

(1)无背栅 SOI MOS 器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究.负责人.国家任务.2017-01--2020-12

(2)纳米级全耗尽高迁移率应变硅锗量子阱沟道器件研究.负责人.地方任务.2012-10--2015-09

(3)高迁移率Si/SiGe/SOI 量子阱MOS器件载流子散射机理研究.负责人.国家任务.2014-01--2016-12

(4)中国科学院“青年创新促进会”项目.负责人.中国科学院计划.2014-01--2017-12

(5)16/14nm基础技术研究 绝缘体上III-V族化合物衬底材料制备技术研究.参与.中国科学院计划.2013-01--2014-12

(6)面向超灵敏探测的异质集成研究.负责人.中国科学院计划.2016-07--2021-06

(7)集成电路材料基因组关键技术研究与应用示范.负责人.地方任务.2020-08--2022-07

(8)略.负责人.国家任务.2022-01--2024-12

获2022年度上海市科技进步特等奖、2023年度中国科学院科技促进发展奖。

上海市青年联合会第十三届委员会副主席。