锂漂移探测器是一种具有较大灵敏体积的一种半导体探测器。

锂漂移探测器可以用硅也可以用锗制成，前者称为锂漂移硅[Si(Li)]探测器，其灵敏区厚度可达5-6mm，可用于β、Χ射线和低能γ射线计数测量和能谱测量。后者称之为锂漂移锗[Ge（Li）]探测器，灵敏区厚20mm，灵敏体积达50cm3，较硅有更大的光面截面，对γ射线能量有极好的分辨和检测器检测器较高的探测效率，因而更适合于测量γ射线。锂漂移探测器必须在干冰温度下存放，在液氮温度下使用，以避免锂漂移出晶体。