它可以构成
电压调节器或瞬态
抑制器，可以用来限制
电路两端的电压。电压钳位器件都是典型的半导体，如
齐纳二极管、暂态电压抑制器、
压敏电阻 (VDR)等。 齐纳二极管在正向导通时跟
普通二极管一样，但是当它的
反向电压高到一定程度时，会因击穿而导通。耐压小于 6V 的低压齐纳二极管的
伏安特性曲线斜率较小，是逐渐导通的。高压齐纳二极管 (雪崩击穿二极管)耐压大于6V，它的伏安特性曲线斜率大，故导通迅速。齐纳二极管击穿时会产生一些噪声，我们通常在它两端并联一个小电容来消除噪声。
暂态电压抑制器和
齐纳二极管相似，但它更适用于
峰值电流很高的应用场合。暂态电压可以是
单向或双向的，
额定电压从5V到几百伏不等。应用于275V 交流场合的暂态电压
抑制器，即使在
瞬时电流很高的情况下，也可以使其峰值
浪涌电压低于600V。
VDR 在低压时电阻很高，高压时电阻很低。所以两端电压增加时，它会逐渐导通。VDR可以吸收很高的
浪涌能量，这种器件一般以焦耳而不是
瓦特来定额，因为浪涌能量一般是瞬间的。在瞬时电流很高的情况下，交流额定电压为 275V的VDR将会击穿，可以将电压限制在 710V左右。