MOCVD 技术的发展历史与
化合物半导体外延生长的其它技术一样是较古老的（如：液相外延、气相外延和分子束外延）。自 1968 年 Rockwell 公司的 Manacevit 提出第一篇 MOCVD 技术报告后[1]，MOCVD 技术经过 40 多年的发展已逐渐成为半导体生长的一种关键技术，它较其它外延技术具有更多优点，尤其是适合于大规模工业化生产的特点，使其成为实际应用中最广泛的外延技术。
1975年Seki等人用MOVPE方法制备出77K时的
电子迁移率为12000cm/（V·s）的器件级GaAs同质外延层，导致几个实验室相继开展了GaAs
场效应晶体管（FET）、GaAs/GaAlAs注入式激光器和太阳电池的研究工作。
用MOVPE方法研制成功的
化合物半导体器件包括发光二极管、激光器、探测器、太阳能电池、光电阴极、光电集成器件、
异质结双极晶体管、
场效应晶体管等等。其中发光二极管、激光器和太阳能电池已成为最先应用于工业生产的实例。
MOVPE方法的主要缺点是需要使用大量的有毒气体（诸如AsH3，PH3，H2Se等等）、在空气中自燃的金属有机化合物，以及与空气能形成易爆混合物的氢气。 本节将从MOVPE生长系统、原材料、生长机理、半导体材料生长等方面对MOVPE的进展进行简要介绍。