金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD） ，用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。

应用

其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度卜进行外延生长。MOCVD技术主安应少“于班一\uff0c.族U-VT族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜；该技术工艺可控，操作简便及适合大规模生产等优点:其缺点是反应气体与反应副产物多为易燃剧毒物质。