郑有炓,1935年10月1日生于福建大田,半导体材料与器件物理专家,
中国科学院院士,
南京大学电子科学与工程学院教授。
郑有炓在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中,发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程,发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构,提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律,开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。
截至2019年7月,郑有炓与研究组已发表论文400余篇,已被SCI收录332篇,EI收录428篇,被SCI论文引用1683篇(其中他引1409 篇),其代表论著有《第三代半半导体材料》《太阳电池发展现状及性能提升研究》等。
截至2022年2月,郑有炓已获得国家自然科学奖二等奖1项、国家技术发明奖三等奖1项、江苏省科技进步奖一等奖1项、教育部自然科学一等奖和技术发明一等奖各1项;还先后获得省部级科技进步奖8项以及国防科工委光华科技基金奖一等奖等奖项。
截至2022年6月,郑有炓培养的学生包括6位长江学者特聘教授、8位国家杰出青年科学基金获得者、5位国家973计划(重点研发计划)首席科学家以及3个国家基金委创新群体和科技部创新团队等,如厦门大学教授
张荣,南京大学教授
施毅等都是他的学生。
“郑有炓是中国半导体异质结构材料与器件研究的开拓者和领军人。”(
江苏省光电信息功能材料重点实验室评)
“郑有炓在半导体材料与器件的教学科研工作中做出了系统性、创造性的突出贡献。”(
南京大学评)