郑厚植，1942年8月出生于江苏常州，物理学家，中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员，北京邮电大学理学院院长、双聘院士。

1965年，郑厚植从清华大学无线电电子学系半导体物理专业毕业，获得学士学位。

1965年10月至1978年12月，在中国科学院半导体研究所担任研究实习员，助理研究员。

1978年12月，担任中国科学院半导体研究所副研究员。

1979年02月至1981年09月，作为Alexander Von Humboldt基金会奖学金获得者，在西德慕尼黑技术大学物理系从事研究工作。

1981年10月至1983年10月，在中国科学院半导体研究所担任“六五”中国科学院重点课题“二维电子气物理”课题组组长。

1983年11月至1986年04月，参与中国科学院和美国物理学会关于原子、分子和凝聚态物理合作研究备忘录计划，在美国普林斯顿大学（Princeton University）电机工程系从事研究工作。

1986年，担任中国科学院半导体研究所研究员。

1989年至1995年，担任半导体超晶格国家重点实验室主任。

1990年，被聘为中国科学院半导体研究所博士生导师。

1995年，当选为中国科学院院士。

1995年—2002年，担任中国科学院半导体研究所所长。

2008年10月，担任北京邮电大学理学院院长。

郑厚植自1979年以来长期从事半导体低维量子结构物理及新器件探索，所在的半导体超晶格国家重点实验室具备先进而齐全的超薄半导体材料生长，光学/电学测试手段。包括：4台分子束外延系统（MBE）（1新、3旧）；各种稳态、时间分辨和非线性光谱系统（飞秒瞬态激光光谱，拉曼光谱，付里叶光谱，PL、PLE光谱，磁光和时间分辨法拉第旋转光谱）；低温强磁场系统和各种电学测试手段。研究所新建的“半导体集成技术中心”可以提供先进而配套的纳米加工手段。

郑厚植在半导体低维量子结构中的新效应研究方面取得多项重要成果：首次揭示了量子霍耳效应的尺寸效应和霍耳电势的空间分布特性；首次提出了用分裂栅电极实现准一维电子气的办法，揭示了准一维电子气的新奇量子特性，该方法已扩展成为制备和调控量子比特的重要方案之一；提出了空穴间多体相互作用诱导的磁阻理论并予以了实验验证；研究采用量子效应的新型量子器件等方面做出了许多有价值的成果。

Zheng, H. Z., Choi, K. K., Tsui, D. C., & Weimann, G. (1985). Observation of size effect in the quantum Hall regime. Physical review letters, 55(10), 1144.

Zheng, H. Z., Wei, H. P., Tsui, D. C., & Weimann, G. (1986). Gate-controlled transport in narrow GaAs/Al x Ga 1− x As heterostructures. Physical Review B, 34(8), 5635.

Zheng, H. Z., & Zhou, H. P. (1989). Influences of particle-hole Hartree interaction on magnetoresistances in disordered two-dimensional hole systems. Physical Review B, 39(6), 3817.

Zheng, H. Z., Yang, F. H., & Chen, Z. G. (1990). Nonresonant magnetotunneling in asymmetric GaAs/AlAs double-barrier structures. Physical Review B, 42(8), 5270.

Zheng, H. Z., Song, A., Yang, F. H., & Li, Y. X. (1994). Density of states of the two-dimensional electron gas studied by magnetocapacitances of biased double-barrier structures. Physical Review B, 49(3), 1802.

Zheng, H. Z., Li, H. F., Zhang, Y. M., Li, Y. X., Yang, X., Zhang, P., ... & Tian, J. F. (1995). Experimental study of tunneling escape through double-barrier resonant-tunneling structures. Physical Review B, 51(16), 11128.

据2020年3月何梁何利基金会官网显示，郑厚植自1986年起历任“七五”国家重大基金项目，“八五”和“九五”国家攀登计划项目，“十五”国家重点科技研究计划（973），“十一五” 国家重大科学研究计划等项目的负责人和首席专家。

郑厚植获得1994年、1995年中国科学院自然科学奖一等奖（排名第一）、二等奖（排名第二）。

2005年4月10日，由中国科学院数理学部、北京青少年科技俱乐部活动委员会、中国物理学会联合举办的“科学与中国”院士专家巡讲团2005世界物理年科普系列报告会、北京青少年科技俱乐部科学家报告会在北京科技会堂举行第二场报告会。郑厚植应邀作了题为《爱因斯坦解释光电效应的运用》的报告。

2013年12月12日，郑厚植为北京邮电大学理学院的学生讲授专业导论课程《物穷其理，宏微交替》。

郑厚植在1024位动态RAM芯片的动态逻辑电路、版图总体设计和逻辑功能检测等方面做了一系列先驱性工作，推动了中国国内DRAM研制的起步。（何梁何利基金会评）

郑厚植在半导体低维物理的系统研究中取得多项重要成果。在朗道态密度测量和低维激子光谱等方面作出许多有价值的成果。（北京邮电大学评）