谭满清，男，于1993年在北京师范大学获得硕士学位，1996年在北京理工大学获得博士学位，1996年至1998年在中国科学院半导体研究所博士后流动站从事研究工作。1998年以后，在中国科学院半导体研究所工作。

2018-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员二级

2009-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员三级

2001-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员四级

1998-08~2001-08,中国科学院半导体研究所, 副研究员

1996-08~1998-07,中国科学院半导体研究所, 博士后

1993-09~1996-07,北京理工大学, 工学博士

1990-09~1993-07,北京师范大学, 理学硕士

1986-07~1990-08,湖南省岳云中学, 中学物理教师

在国内率先实现了宽带宽、高功率超辐射发光二极管模块及小批量产业化，器件指标达到国际先进水平；开展了电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术实现光学膜等新型半导体器件工艺的研究，为提高半导体光电子器件工艺水平和器件水平发挥了较好的作用；开展了长波长面发射半导体激光器研究和量子阱TCAD研究，取得了有重要意义的阶段成果。

曾获国家科技进步二等奖一项，中国科学院一等奖一项、二等奖一项。在国内外学术刊物发表论文三十多篇，申请发明专利十项。他主持并完成了863项目等国家项目多项。

他所在的实验室有国际上较先进的设备，具备很好的各种半导体光电子器件研究和生产所需的研究条件。主要的研究兴趣为新型半导体光电子器件的研制和新型半导体器件工艺研究等。

“863”项目：“量子阱TCAD”(1997－2000)

“863”项目：“可调谐长波长垂直腔面发射激光器”(2001－2004)

Manqing Tan, Yongchang Lin， Study of reflection filter with high reflectivity and narrow bandwidth，Appl. Opt. Vol36(4): 827 – 830，1997,2

谭满清，林永昌，过渡金属超薄膜的光学性质及其应用”， 中国激光，Vol. A24(4):323 -326，1997,4

谭满清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法淀积R＜10-4的1310nm光电子器件增透膜技术的研究，光学学报, ,19(2): 235-238， 1999,2

谭满清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法淀积980nm大功率半导体激光器端面光学膜技术”, 中国激光, Vol.A26(9) ，1999,9

谭满清，茅冬生，InP衬底表面的H2/N2等离子清洁技术，半导体学报, Vol 20(10) ，1999/10

谭满清，茅冬生，ECR PLASMA CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究”，半导体学报, Vol20(7):589- 592, 1999 /7

Manqing Tan, Yongchang Lin ，Design Method of reflection filter, Optical Interference Coatings, Optical Society of America, Loews Van- tana Canyon Re sort, Tucson, Arizona, Vol.9, 308-309, June 1998

D. Mao, M. Tan, L. Chen ，Application of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semi- conductor photoelectronic devices，Proceedings of SPIE, China,Vol.3547,315-318 ，Sept. 1998

谭满清,茅冬生，GaAs表面清洗技术，中国专利, 98124973.6,申请日: 1998年11月25日，1998

谭满清,茅冬生，InP表面清洗技术，中国专利, 99100810.3,申请日: 1999年2月14日, 1999

郭良等，排名第6位，“670nm半导体量子阱激光器批量生产“，获国家科技进步二等奖，中国科学院科技进步一等奖，2000

肖建伟等，排名第7位，高功率激光二极管列阵，中国科学院科技进步二等奖，2001