MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的PN结——场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化（不随栅极电压而变化）。

而对于MOS-IC而言，在工作时，其中各个MOSFET的衬底电位是时刻变化着的，若对器件衬底的电位不加以控制的话，那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结出现正偏的现象；一旦发生这种现象时，器件和电路的沟道导电作用即告失效。所以，对于IC中的MOSFET，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏电压，这样一来即可保证沟道始终能够正常导电。简言之，衬偏电压就是为了防止MOSFET的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。

由于加上了衬偏电压的缘故，即会引起若干影响器件性能的现象和问题，这就是衬偏效应（衬偏调制效应），又称为MOSFET的体效应。

同时，这种衬偏电压的作用，也就相当于是一个JFET的功能——沟道-衬底的场感应p-n结作为栅极，从下面来控制MOSFET的输出电流Ids。所以，对于加有衬偏电压的MOSFET，从工作本质上来说，可看成是由一个MOSFET和一个JFET并联而成的器件，只不过其中JFET的作用在此特别称为MOSFET的体效应而已。这就是说，加上衬偏电压也就相当于引入了一个额外的JFET。

MOSFET在出现沟道（反型层）以后，虽然沟道下面的耗尽层厚度达到了最大（这时，栅极电压即使再增大，耗尽层厚度也不会再增大）；但是，衬偏电压是直接加在源-衬底之间的反向电压，它可以使场感应结的耗尽层厚度进一步展宽，并引起其中的空间电荷面密度增加，从而导致器件的阈值电压VT升高。而阈值电压的升高又将进一步影响到器件的Ids及其整个的性能，例如栅极跨导降低等。衬底掺杂浓度越高，衬偏电压所引起的空间电荷面密度的增加就越多，则衬偏效应就越显著。例如，p阱-CMOS中的n-MOSFET，它的衬偏效应就要比p-MOSFET的严重得多。

由于衬偏电压将使场感应结的耗尽层厚度展宽、空间电荷面密度增加，所以，当栅极电压不变时，衬偏电压就会使沟道中的载流子面电荷密度减小，从而就使得沟道电阻增大，并导致电流减小、跨导降低等。

当MOSFET在动态工作时，源极电位是不断在变化着的，则加在源-衬底之间的衬偏电压也将相应地随着而不断变化；这就产生所谓背栅调制作用，即呈现出一定JFET的功能。

由于衬偏电压会引起背栅调制作用，使得沟道中的面电荷密度随着源极电位而发生变化，即产生了一种电容效应，这个电容就称为衬偏电容。衬偏电容的出现即将明显地影响到器件的开关速度。

由于MOSFET在加有衬偏电压时，即将增加一种背栅调制作用，从而就额外产生出一个与此背栅调制所对应的交流电阻；于是，这就将使得器件的总输出电阻降低，并导致电压增益下降。所以，减小衬偏效应将有利于提高电压增益。

①降低衬底的掺杂浓度，或者减小氧化层厚度（增强栅极的控制能力）。

②把源极和衬底短接起来。这可以完全消除衬偏效应的影响，但是这需要电路和器件结构以及制造工艺的支持，并不是在任何情况下都能够做得到的。例如，对于p阱CMOS器件，其中的n-MOSFET可以进行源-衬底短接，而其中的p-MOSFET则否；对于n阱CMOS器件，其中的p-MOSFET可以进行源-衬底短接，而其中的n-MOSFET则否。

③改进电路结构来减弱衬偏效应。例如，对于CMOS中的负载管，若采用有源负载来代替之，即可降低衬偏调制效应的影响（因为当衬偏效应使负载管的沟道电阻增大时,有源负载即提高负载管的VGS来使得负载管的导电能力增强）。