4微米/1
微米/0.6微米/0.35微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度(注:应为最小沟道宽度,IC工艺的核心是MOS尺寸,所以最小导线宽度的说法不准确),是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,
集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元.
在光学中指光源的线宽，比如
激光线宽。光从
激光器中射出，
激光起振后,会有一个或多个
纵模产生,每个纵模的频率的范围就是激光的线宽。注意每个纵模的频率宽度和纵模之间的间隔是两个不同的概念,纵模间隔是相邻两个纵模
中心频率的差值。激光线宽由
谐振腔的
品质因数决定,腔的品质因数越高,激光线宽就越窄。考虑激光
介质的增益后,激光的线宽的理论极限由增益介质的
自发辐射来决定,例如对于He-Ne,其线宽的理论极限约为10^-3Hz量级。当然实际的
激光器中还有各种线宽展宽机制,使的
激光线宽一般达不到其理论极限,例如对于He-Ne,温度变化0.01度引起的模式
频率漂移约0.1MHz,实际He-Ne的激光线宽可达到1MHz,
固体激光器中线宽可达1
埃左右。