红外激光二极管是指可在一个频率上产生相干红外光束的半导体二极管，通常是由砷化镓(gaas)或掺杂有铟和铝之类其他材料的砷化镓制成。它能有效节能，具有稳定、可靠的特性，提供市场上最高质量和激光器的性能。

红外激光二极管根据激光的发射原理及产生过程的特殊性决定了激光具有普通光所不具有的特点：即三好（单色性好、相干性好、方向性好）一高（亮度高）。利用激光的定向性好和高亮度，可广泛应用于医疗保健、军事、鉴伪、安防、舞台（红、绿、蓝）灯光、各种电动工具、测量类、仪器、设备、水平尺、定位仪、测距仪、测温仪、激光标线仪（投线仪）、电子工量具、鼠标、u盘、摄象机、手机、投影教学翻页笔、激光笔、工艺品、室内外装饰、手电筒、礼品类、玩具类等产品。

以规格是红外激光二极管780纳米到1625nm为例，其特点如下：

1、高品质，低成本；

2、广泛的波长780纳米- 1625 nm的；

3、输出功率为5毫瓦至1000兆瓦；

4、软件包：到5（直径9毫米），至18（直径5.6毫米），to3，到9和c -块或c型；

5、外接式（尾纤及插座）包也可用。

半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的pn结加有正向电压时，会削弱pn结势垒，迫使电子从n区经pn结注入p区，空穴从p区经过pn结注入n区，这些注入pn结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下：

λ=hc/eg (1)

式中：h—普朗克常数；c—光速；eg—半导体的禁带宽度。

上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，则会形成和热平衡状态相反的载流子分布，即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下，少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射，造成选频谐振正反馈，或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时，就可从pn结发出具有良好谱线的相干光——激光，这就是红外激光二极管的原理。

1.可用于瞄准器用定位。

2.可用于激光测试工具.

3.可用于同心度定位.

4.可用于医疗设备定位.

5.可用于制作信号设备.

6.diy小产品或用于试验教学.