红外探伤仪是用于多晶硅片生产中缺陷探伤的仪器。

多晶硅红外探伤测试仪主要由红外光源，旋转台，成像系统构成。成像系统的参数设置包括光照亮度，对比度，伽马射线和一体化的时间设置，获取模式选择和损坏像素管理。旋转台由单轴伺服电机驱动，同时拥有光电编码器的位置检查的功能。软件也可以直接控制伺服电机。

通常都是在硅块清洗处理后线切割前进行红外探伤，在线切割前进行红外探伤不仅可以减少线痕片，而且可以减少SiC断线，大大提高效益，这些夹杂都可以清晰地反映在我们的红外探伤系统中。断线的修复是一个费时费力的工作，同时不是所有的断线都能够成功。因此它是多晶硅片生产中不可或缺的工具。

红外探伤测试仪是专门用于多晶硅片生产中的硅块硅棒硅片的裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷探伤的仪器。

■为太阳能多晶硅片过程中的质量控制提供了强大的监测工具

■检测速度快，平均每个硅块检测时间为不超过1分钟

■NIRVision软件能够分析4面探伤结果，并且直接将结果转换成三维模型图像

■成像过程将自动标出夹杂的位置所在

■独特的加强型内插法为高分辨率的杂质探伤功能提供了强大的技术保障

■采用欧洲数控工程铝合金材料

■表面都采用了高强度漆面和电氧化工艺保护

■系统外框采用高质量工业设计

■所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求

■能够通过自动或手动旋转对硅块的前后左右四面和上下两面进行全面探伤。

■红外光源通过交直流光源进行控制，光强可以通过软件直接控制，同时它具有过热保护功能

■同时软件包含了杂质图像的管理分析功能

■稳定性和耐用性俱佳。

■探伤测试面最好进行抛光处理，因此我们推荐在线切割之前进行红外探伤

■红外成像光源受电阻率影响，硅块电阻率越低，则对红外光的吸收越多

■一般电阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我们推荐的电阻率在0.8Ohm*Cm以上

■主要探测指标：夹杂（通常为SiC），隐裂，微粒等

■硅块电阻率：≥0.8Ohm*Cm（推荐）

■检测时间：平均每个硅块1分钟

■最大探测深度：200mm

■外框和箱体

>尺寸：143x53x55

>外框采用数控工程铝合金

>外框是覆盖静电强力漆铝面板

>主机重量：98 kg

>附件重量：25 kg

■旋转台

>采用单轴伺服电机

>最大承载量:40kg

> 具有过流保护以防止损伤和电机烧毁

>无步进损失，高分辨率解码机器

■红外光源

>高强度NIR卤灯，273mm加热波长

>功率：230V, 1000W

>温度：25-60摄氏度

>光强可通过软件控制

>软件具有过热保护

■观测仪

>采用红外CCD控温

>12位ADC

> 频率：60Hz和100Hz两个选择

>像素间距: 30μm

>分辨率：: 320x256 像素

>可手动调节红外镜头

籽晶的在探伤仪的探伤效果图：