突变pn结（abruptp-njunction），当半导体内的杂质从受主杂质突变为施主杂质时，称为突变结。

突变pn结（abruptp-njunction）

用合金法制造的pn结，n型区中施主杂质浓度和p型区中受主杂质浓度都是均匀分布的。在交界面处杂质浓度由nA（p型区）突变为nD（n型区），具有这种杂质分布的pn结称为突变结。实际的突变结，两边的杂质浓度差很多，通常称这种结为单边突边结（记为p n，或n p）。

如果一边的掺杂浓度远大于另一边（如：），则p-n结势垒区主要是在轻掺杂一边，这种突变结即称为单边突变结（）。例如BJT的发射结往往就可以当作为突变结。在耗尽层近似下，突变p-n结中的内建电场呈线性分布（三角形），最大电场出现在界面（x=0）处，为：

= ( q) /ε= ( q) /ε；

内建电势为:= W / 2 ；

势垒厚度为: =+= { 2ε(+)/ ( q) }1/2 ，即耗尽层宽度( )与势垒高度( q) 直接有关。

特别, 对单边突变的p-n结，因为≥，则有：

≈ xn = [ 2ε/ (q) ]1/2 ， = ( q ) /ε。