(2) 电子迁移率高,响应谱带宽。光伏型时间常数约为1μm、光导型的约为1μm,适合于激光架测。对于1.55μm的应用,即带顶下一个谱带宽度处存在分裂带。利用这特性可获得高性能二级管。
激光对红外探测器的辐照效应及损伤机理的研究已经成为科学研究的一项重要课题。国外在本领域的研究工作起于20世纪70年代。对于激光破坏
光电探测器的永久性效应做了较深入的研究。
针对线阵探测器损伤出现的反常响应
现象,从探测器的芯片结构、读出电路结构及工作原理等方面进行了深入研究。分析结果表明损伤致光敏芯片
pn结耗尽层电阻变化是线阵探测器损伤单元出现反常响应现象的主要原因。损伤致使光敏材料载流子浓度发生变化,损伤单元pn结耗尽层宽度变化,进而耗尽层电阻发生大小变化,在相同偏压下,耗尽层等效电阻分压不同,进而导致受损单元输出电压出现高低不同的响应,所以探测器输出电压出现反常响应现象。