硅器件与集成技术研究室是面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主的研究室。致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。研究室一直秉承“满足国家战略需求”的科研定位，承担着多项国家重大项目和任务。尤其在高可靠性的SOI集成电路器件研究方面具有雄厚的实力，处于国内领先地位，为国家微电子事业和重要应用领域做出了重大贡献。
研究室前身是
中国科学院半导体研究所的
大规模集成电路技术研究室。长期从事CMOS先导工艺技术研究，取得了多项代表国家IC工艺研究水平的成果，是国内最早研制出霍尔电路和VDMOS器件的单位。在国家“六五”科技攻关中，出色地完成了4KDRAM、16KDRAM和64KDRAM的研制；在国家“七五”科技攻关中，完成了“定制、半定制集成电路设计与制造”、“1～1.5μm新工艺、新器件”结构的探索性研究等重大研制项目；在国家“八五”科技攻关中，自主开发成功了“0.8微米集成电路芯片制造技术”，并应用此技术研制成集成度为7000门的通用
模糊控制器电路和双层金属布线的高速时钟驱动电路；“九五”期间，开发了0.18和0.25微米CMOS集成电路关键工艺技术，并用以研制成功千门级实用电路、性能良好的0.1微米CMOS器件及环振电路、大规模SOI/CMOS实用电路。
硅器件与集成技术研究室具有正副研究员、高工等
高级职称9人（其中正研4人），中级初级职称科研工作人员35人。培养硕士、博士生80人，已毕业42人。
研究室下设SOI集成电路、功率器件、显示驱动、测试及可靠性技术四个课题组，拥有一个器件设计&仿真实验室、一个集成电路测试实验室、一个功率器件全参数测试实验室和一个
可靠性检测&失效分析实验室。
硅器件与集成技术研究室共设有四个课题组，分别从事SOI集成电路、功率器件、显示
驱动、测试及可靠性技术研究。
1 SOI集成电路方向：学科带头人—韩郑生（研究员，博导，室主任），主要从事基于SOI技术的超大规模集成电路设计技术研究和相应产品研制任务。在高可靠性SOI电路研制方面处于国内领先地位，近几年研发的产品主要涉及包括SRAM（
静态存储器）系列、MCU（微控制
单元）、
逻辑电路系列等，如今承担有国家重大科技项目。SOI CMOS集成电路具有高可靠性、高速、低功耗、高集成度等优点。
2 功率器件方向：学科带头人—王立新，主要从事大功率VDMOS系列、IGBT系列、
霍尔传感器电路系列等产品的研制。该学科方向历史悠久，是国内最早研制VDMOS器件和霍尔电路的单位之一，如今在高性能、高可靠性的VDMOS器件研制方面处于国内领先地位。正在研制的VDMOS器件涵盖100V-600V系列20余款产品，IGBT涵盖600V，1200V系列多款产品，霍尔电路开关型和锁定性两大系列10余款产品。
3 驱动电路方向：学科带头人—杜寰，主要从事平板显示驱动电路、非挥发存储器驱动电路以及LDMOS功率器件等方面的研究。平板显示驱动主要包括有机发光微显示硅上有机发光（OLEDoS）和硅上液晶微显示（LCoS）和应用于场致发射（FED）和等离子(PDP)平板显示的高压驱动（100V～200V）电路。在存储器方面主要从事磁存储器和纳米阻变存储器驱动电路方面的研究。在功率器件方面主要从事输出功率为50～200W，工作频率为500MHz～2GHz的LDMOS功率器件。
4 测试及可靠性方向：学科带头人—朱阳军，主要从事半导体集成电路&
分立器件的测试、可靠性、失效分析技术的研究以及相应的技术支撑服务，是研究室新设立的学科方向。承担着国家重大科技专项中“测试及可靠性产品公共服务平台建设”的课题任务，建立一个提供完善的测试、可靠性检测、失效分析的公共服务平台。如今在研的其他课题有关于新型可靠性分析技术研究，可靠性测试设备研制，失效机理、模型及失效分析技术研究等内容。
在高性能功率器件方面，“八五”与“九五”期间承担多项科技攻关，形成系列功率VDMOS产品，量产芯片大量投放市场，获得一项“八五”攻关重大成果奖与多项院级科技进步奖。
2004年，高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究获北京市科学技术一等奖。2005年，亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究获国家技术发明二等奖。