砷化铟，是一种无机化合物，化学式为InAs，是一种化合物半导体材料，主要用作光学材料、催化剂等。

常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。

InAs在熔点（943℃）时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。

密度：5.67g/cm3

熔点：943℃

外观：灰色颗粒

溶解性：不溶于水

1、急性毒性

小鼠植入皮下LD50：32500mg/kg。

2、生殖毒性

大鼠生殖毒性试验TDLo：呼吸管，公鼠交配前8周，123mg/kg。

InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。