盛况，男，汉族，1974年10月生，浙江义乌人，1999年3月参加工作，2013年12月加入民建，研究生学历，博士，浙江大学求是特聘教授，博士生导师。
人物经历
1995年获浙江大学电力电子技术学士。
1999年获英国赫瑞瓦特大学电子及计算机工程博士。
1999-2002年任英国剑桥大学博士后。
2008年获美国Rugters大学终身教职。
2009年任浙江大学电气工程学院教授、博导。
2017年任浙江大学电气工程学院院长。
2024年4月任湖州师范学院副院长。
职务任免
2024年4月30日，浙江省人民政府研究决定：盛况任湖州师范学院副院长。
社会任职
新型功率半导体器件国家重点实验室学术委员会委员
宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室学术委员会委员
科技部新型显示与战略性电子材料国家重点研发计划专项指南起草专家组专家
International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 咨询委员会委员
IEEE Transactions on Industrial Applications 编委
IEEE Transactions on Power Electronics 编委
浙江省第十四届人大代表，浙江省第十四届人大常委会委员，浙江省第十四届人大财政经济委员会委员，浙江省第十四人大常委会预算工作委员会委员
研究方向
长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用。
科研项目
1. “碳化硅高深宽比沟槽型超级结器件基础技术研究”，国家基金委，2018-2021
2. “中低压SiC材料、器件及其再电动汽车充电设备中的应用示范”, 国家科技部, 2016- 2021
3. “突破一维电阻极限的碳化硅单极型高压器件基础研究”，国家基金委，2018-2021
4. “功率半导体器件及其在汽车系统中的应用”, 美国福特, 2014-2020
5. “碳化硅MOSFET器件项目”，德国英飞凌，2018-2020
6. “碳化硅电力电子器件基础研究”, 国家基金委, 2013至 2016
7. “高压大容量碳化硅功率器件的研发”, 国家科技部, 2011- 2014
8. “高速机车高压IGBT基础技术的研究”，国家科技重大专项，2011-2013
主要成就
2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化，合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司，实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。
相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文280余篇，获授权专利40余项。
所获荣誉
2009年，获国家教育部长江学者
2012年，获国家杰出青年科学基金资助
2013年，获中组部“万人计划”科技创新领军人才
2014年，获中国侨界贡献奖（创新人才）
2010年，浙江省自然科学学术奖二等奖
2019年，国家技术发明奖二等奖