畴壁位移（domain wall displacement），在外磁场作用下，内部磁矩取向和磁场方向比较接近的磁畴的体积将增大，而磁矩取向和磁场方向夹角较大的磁畴体积将缩小。这一磁化过程相当于畴壁从未加磁场前的位置移到了一个新的位置，从而使材料的磁化强度有一定的增大量。这一过程称为畴壁位移。它是技术磁化过程的重要机理之一。

畴壁位移的阻力主要来自材料内部的内应力、掺杂、气孔、缺陷等对畴壁的钉扎。畴壁位移的容易与否将是影响磁导率、矫顽力等磁性参数的重要因素。