热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷。从几何图形上看是一种点缺陷。热缺陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。

晶体中热缺陷有两种形态，一种是肖脱基(Schottky)缺陷，另一种是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。

由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。

弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。

1、热力学方法计算热缺陷浓度

单质肖特基缺陷的平衡浓度，N>>n

n/N=exp（-△Gs/kT）

△Gs——形成一个肖特基缺陷时系统自由焓的变化

k——玻尔兹曼常数

MX型晶体肖特基缺陷平衡浓度，N>>n

n/N=exp（-△Gs/2kT）

弗伦克尔缺陷平衡浓度，N>>n

n/N=exp（-△Gf/2kT）

△Gf——形成一个弗伦克尔缺陷的自由焓变化

1、化学平衡方法计算热缺陷浓度

MX2型晶体肖特基缺陷浓度（以GaF2为例）

[Vca'']=[exp(-△G/3kT)]/[4^(3/2)]

R——气体常数

△G——形成1mol肖特基缺陷的自由焓变化

弗伦克尔缺陷浓度计算（以AgBr为例）

[Agi`]=[Vag']=exp（-△G/2kT）

△G——形成1mol弗伦克尔缺陷的自由焓变化