浸没式光刻技术是指在投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体 (多为水)。

浸没式光刻技术是近年来提出的延伸193 nm光刻的关键技术。

根据瑞利判据，浸没式光刻机的分辨率R和焦深DOF由以下两式定义

其中，k1、k2 为工艺因子，n 为浸没液体的折射率，θ为光线最大入射角，λeff=λ/n 为有效曝光波长， NA 为数值孔径。可以看出，浸没 式光刻的分辨率较传统光刻缩小至1/n，相当于有效曝光波长缩小至1/n；相对于传统光刻技术，在θ相同的情况下，引入浸没光刻技术可以使焦深增大n倍。