氮化硅膜(Silicon nitridc film)是指硅氮化合物的薄膜，常用作微电子技术电绝缘层。化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成，多余的硅原子在其中排列成六方结构。

氮化硅膜是指硅氮化合物的薄膜。

化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成，多余的硅原子在其中排列成六方结构。氮化硅低温相的点阵常数为a=0.758nm，c=0.5623nm。它的介电常数高达6-7，击穿场强1x107V·cm。可用化学气相沉积和溅射法制备。

氮化硅膜主要用作微电子技术电绝缘层。

通常采用等离子体化学气相沉积（PCVD）制备，沉积温度低于300℃。这样得到的氮化硅膜(P-SiN)中通常含有大量氢(约2x1022cm)，Si /N比在0.8-1.0范围，这对于性能有明显的影响，因此要求严格控制工艺参数。P-Si N用作绝缘层的优点是沉积温度低、阶梯覆盖性好、耐水和碱离子作用、机械强度大、粘着性好、内应力低于氮化硅膜、可制成厚膜而不开裂。

由于氮化硅具有高硬度(块体硬度HV17.2GPa)和优良的化学稳定性，它是很受重视的耐磨抗蚀膜。但由于膨胀系数低，当沉积在金属基材上时，产生较大的界面应力，对基体附着差。