武尔桢，半导体专家。中国电子工业界半导体技术带头人和第一个半导体研究室和研究所的创建人。先后组织并主持研制出了中国第一只硅超高频低噪声晶体管、第一块p－n结隔离的单块集成电路和首种64千位动态随机 存取存储器的超大规模集成电路，以及中国第一台60万伏高能离子注入机和高压单晶炉。在培养人才方面也作出了相应的贡献。

1952年，工业战线急需人材，武尔桢奉调到天津广播器材厂担任厂长，1964年研制出了6类9种锗器件，并为当时中国自行研制的第一台全晶体管化的电子计算机（108乙型）提供了配套所必需的两种开关晶体管，翌年即1965年，他们又研制出了中国第一支硅超高频低噪声晶体管、第一支硅台面高频大功率晶体管和第一块p-n结隔离的单块集成电路，此外还有22种不同型号的硅器件。1969年底，开始研究要有60万伏的高能离子注入机，1975年研制成功，如今，这台有三层楼房高的机器仍在正常运转，还在发挥着尚未终结的关键作用。被称为第四代半导体集成电路产品的VLSI（超大规模集成电路），国外是在70年代中期，在经历了中小规模与大规模集成电路技术的演变而发展起来的。它是半导体技术、电子技术、冶金技术、化工技术、精密机械技术、计算机辅助设计与分析测试技术以及超微细加工技术等多学科交叉融合的结晶。武尔桢选择的突破口是在当时被标志为的一个重要台阶的代表产品——64千位动态随机存取存储器。这个由武尔桢等经过周密调研后作出的决策，在当时既符合基于自力更生的国情，又瞄准了国际上先进水平，遂被上级主管部门列为中国“七五”科技发展规划中的一个项目。1986年5月13日，即约经半年的时间，中国首批64KDRAM样品就被他们研制了出来，成为当时正在北京召开的全国“六五”科技成果表彰大会的一项重大新闻，并被大会视为水平最高的成果之一。

武尔桢又名乌拉，1920年12月20日出生在山东省潍坊市武家村一个世代务农家庭。他3岁时丧母、5岁时继母又去世，父亲一直单身一人在胶济铁路张店站当客车检票员，故童年时期全靠伯祖母、姑姑照顾抚养。6岁时入私塾读书。11岁时由于韩（复榘）阎（锡山）之战的影响，随同姑姑去青岛投奔一位远房亲戚。3个月以后，武尔桢一人去张店和父亲一起生活、上学。不到两年就随父亲调差青岛在铁路小学上学，半年后转入铁路中学学习。1937年，武尔桢初中毕业。时值“七七”事变骤起，乃随父亲回到潍坊乡下暂住。一年以后重又到青岛礼贤中学上高中。武尔桢的童年和少年就是在这种失去母爱、缺少父爱，再加上军阀混战、日本侵略军蹂躏的动乱年代中渡过的，因而从小就养成了独立生活、独立思考的能力与自强自立的性格。少年时期的不安定生活使他看到了旧中国的黑暗，百姓的疾苦，体会到了“哀民生之多艰”的含义。在他幼小的胸襟中积蓄起来的这种思绪，萌生了日后学好知识、投入“科学救国”、“实业救国”行列的心志。在高中学习期间，武尔桢起早贪黑，发愤用功。在教室里，每天都是到得最早、走得最晚。3年的高中学习成绩，在学校里总是名列前茅，深受当时望重惜才的教师的器重。不甘忍受日本侵略军欺躏、不愿当亡国奴的武尔桢，高中毕业以后，毅然离开当时已成为沦陷区的青岛，决心去大后方重庆求学。

1941年夏天，原定7人同去重庆。几经商量之后，其他6人退了下来，剩下武尔桢一人开始了艰难的征程。当时从青岛坐火车西去只能通到商丘，于是他在到达商丘之后，便徒步走到洛阳，再从那里设法越过日本侵略军布设的封锁线。之后，他用剩下不多的钱买了一匹毛驴，以骑代步，晓行夜宿，比较平安地到达陕西宝鸡。此时他所带的川资已经花光，为能到达心目中的大后方，只好卖掉毛驴，再次徒步前进。在翻越秦岭的途中，仅有的一点点行李钱物又被人骗去。在身无分文的情况下，他忍饥挨饿走到了广元。之后，他便沿着南下的嘉陵江边打工边乞讨地走到了当时的陪都重庆。在重庆他庆幸自己考入了当时设在川南李庄的同济大学。饱受战乱频仍、日军欺凌和颠沛流离之苦的武尔桢满以为到了作为大后方的重庆，从此可以安心读书。可是，在同济大学过了半年的大学生活之后，武尔桢所看到的是，国民政府统治下的重庆地区，社会黑暗，官场腐败，失望之感油然而生，遂产生了离开重庆的想法。由于在1941年至1942年之交，云南昆明被许多追求进步的青年学生视为能呼吸到新鲜空气的地方，他便于1942年10月来到昆明，慕名考入了西南联大。长期的流浪，社会的动荡，武尔桢已和家里失掉联系。他在西南联合大学学习期间，经济上失去了来源。为了上完大学，先在学校里挑水打工，后在昆明唯一的一家放映美国原版影片的电影院里当同声翻译，用所得的收入维持继续上学的费用。

在西南联大，他经历了一次又一次的争民主、反迫害的学运浪潮，目睹了横行无忌的国民党警察特务随意枪杀李公朴、闻一多等民主志士的血腥罪行，加深了对国民党统治集团的反动、腐败本质的认识，原本对政治无甚主见的他，通过对比，自然而然地接受了中国共产党的抗日救国和谋求民族解放的新思想。1945年8月15日，日本帝国主义宣布无条件投降，这场持续了8年、给中华民族造成深重灾难的战争终于结束了。1946年，开始复员的西南联合大学部分北迁，他被分到北京清华大学物理系学习。越一年完成大学学业之后，于1947年投奔冀察热辽解放区，参加了中国共产党领导下的民族解放事业。1948年10月他加入中国共产党。也在这一年，经历土地革命锻练的武尔桢进入了新闻战线，先后担任过冀察热辽分局群众日报、天津日报编辑和天津人民广播电台编辑科长等职务。1952年，工业战线急需人材，他奉调到天津广播器材厂担任厂长，从此开始了把毕生精力，包括把科技专长奉献给电子工业建设的历程。1954年，此厂改隶机械工业部10局（电子工业局）管理，任务大为加重，并获得了另一厂名（764厂），他仍任厂长职务。那段时间，直至1956年，正是中国国民经济建设从恢复生产、支援抗美援朝和调整充实到开始执行第一个五年计划时期，全国人民意气风发，各条战线凯歌频奏。勇于开拓、忠于职守的武尔桢，在他所曾任事的单位均作出了令人称道的成绩，而他也从中吸取了许多对于增强才干极为重要的知识与经验。

1956年，由周恩来总理亲自主持制订的“十二年科学发展规划”，把半导体技术作为中国四大发展重点之一。半导体是美国人于1948年发明的，中国1956年对半导体的科研工作则是刚刚开始。当时的苏联，其半导体研究水平与美国比较起来还存在着一段差距，中国又正处在大学苏联的热潮之中。武尔桢就是在这种历史背景下，于1956年3月由天津764厂调到第二机械工业部第十一研究所（北京）任副所长，分工主管半导体材料与器件的研究开发工作。由于他对开辟中国半导体产业这片处女地对于发展起步中的电子工业、包括发展新一代军用电子装备的重要意义具有深刻的认识，尽管面对的形势十分严峻，任务十分艰巨：所能指挥调动的技术人员，不是和他一样需要“自觉改行”、就是新近才加入的年轻的大中专学生，都无例外地要经过某种形式的培训；用来制造半导体材料与器件的专门装备与检测仪器只能自己动手制造和移用改造；所能借鉴的技术资料也十分稀缺，只能到浩如瀚海的外国文献中去大海捞针。怀着极强使命感和紧迫感的武尔桢上任伊始，就本着一颗为社会主义事业贡献自己一片忠诚之心，投入了以解决这些问题为中心的半导体研究室的组织工作，并在组建过程中率领这支年轻的技术队伍去当时的中科院应用物理所半导体研究室进修访问并参与研制工作。该室于1957年11月研制出的中国第1只锗三极管，蕴涵了他们的辛劳，更重要的是增长了他们的才智。1958年他们回到第十一研究所后把用自己设计制造的几种半导体器件组装成的首台半导体收音机送到周恩来总理手中。这台收音机在今日看来尽管微不足道，却奏出了国产半导体整机从此起步的序曲。

1920年12月20日　出生在山东省潍坊市武家村。

1941年－1942年　在四川同济大学学习。

1942年－1946年　在云南昆明西南联合大学学习。

1946年－1947年　毕业于北京清华大学。

1947年－1948年　中国共产党冀察热辽分局群众土改工作队，队员。

1948年－1949年　任冀察热辽分局群众日报社、天津日报社编辑。

1949年－1952年　任天津人民广播电台编辑科长。

1952年－1954年　任天津广播器材厂厂长。

1954年－1956年　任国营764厂厂长。

1956年－1959年　任第二机械工业部第十一研究所副所长。

1959年－1960年　任第四机械工业部第十二研究所副所长。

1960年－1975年　任第四机械工业部第十三研究所副所长兼总工程师。

1975年－1979年　任第四机械工业部第十三研究所所长兼总工程师。

1979年－1982年　任电子工业部第十四研究院副院长。

1982年－1986年　任电子工业部中国电子器件工业总公司总工程师。

1986年6月5日　在北京逝世。