欠电位沉积（Underpotential Deposition，缩写UPD）是指一种金属可在比其热力学可逆电位正的电位下沉积在另一基体上的现象，是一个与电极/溶液结构密切相关的重要的电化学现象。

迄今为止，已报道了大量UPD实验现象。认为当沉积原子M与局外基体原子S的作用能ψM-S大于沉积原子之间的作用能ψM-M时，将出现UPD现象。

正是由于单层原子与基底之间很强的相互作用力导致了欠电位区单层沉积层的形成，这一点可以描述为亚单层沉积层的活度小于1；另外，金属单层均匀的分布在基底上，并不生长在基底的活性位上，而且结构与基底密切相关。他们认为，作为电镀的初始步骤，单层沉积对膜的进一步生长起着十分重要的作用，不但第一层的沉积和溶出行为受到基底的影响，而且这一影响能发展至多层。

研究表明，只有当功函较小的金属向功函较大的金属沉积时，才有可能发生欠电位沉积。例如，由于Cu的功函比Au的功函小，所以Cu能够在Au电极表面形成欠电位沉积单层，而Au在Cu电极上沉积过程中，则不会发生欠电位沉积。人们认为之所以形成欠电位沉积单层，是由于沉积金属原子与基底金属原子之间的相互作用大于沉积金属原子之间的相互作用。