栅漏是提出了一种基于左手介质的新型介质栅漏波天线,并采用多模网络与严格模匹配相结合的方法,对该左手介质栅天线的辐射特性进行了仔细严格的分析.文中给出了漏波系数随天线结构参数变化的关系以显示该左手介质天线特有的性质.数值结果表明这种新型漏波天线比传统介质栅天线具有更强的辐射能力.讨论了产生这种现象的原因.

基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究 中文摘要：对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能，栅－漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD（器件与工艺计算机辅助设计），研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅－漏电容Cgd的影响以及栅－漏电荷Qgd在开关过程中的变化，指出了在工艺设计上减小栅－漏电容Cgd,降低器件优值，提高开关性能的途径。关键字：低压沟槽MOSFET；栅－漏电荷；模拟；器件与工艺计算机辅助设计中图分类号：TN386文献标识码：A文章编号：1008-0570(2007)09-2-0297-03作者简介：沈伟星（1957－），男，江苏武进人，上海大学微电子中心讲师，目前主要从事功率器件和ESD研究。

中文摘要：对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能，栅－漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD（器件与工艺计算机辅助设计），研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅－漏电容Cgd的影响以及栅－漏电荷Qgd在开关过程中的变化，指出了在工艺设计上减小栅－漏电容Cgd,降低器件优值，提高开关性能的途径。关键字：低压沟槽MOSFET；栅－漏电荷；模拟；器件与工艺计算机辅助设计中图分类号：TN386文献标识码：A文章编号：1008-0570(2007)09-2-0297-03作者简介：沈伟星（1957－），男，江苏武进人，上海大学微电子中心讲师，目前主要从事功率器件和ESD研究。