极限参数
模拟电子技术名词
极限参数是指为保证晶体管场效应管在放大电路中能正常安全地工作,对其电压、电流和功率损耗作出限制的参数。
参数简介
集电极最大允许耗散功率Pcm
晶体管集电极功率损耗Pc=Ic·Uce,在三个电极中最大。为防止集电结发热导致温度过高,Pc有一个最大允许值Pcm,在三极管输出特性曲线图中可确定一条类反比例函数曲线。当Pc大于Pcm时,晶体管进入过损耗区。
集电极最大允许电流Icm
在集电极电流Ic相当大的范围内,共射集-基电流比β取值基本不变。但是,当Ic超过极限值Icm(即集电极最大允许电流)时,β就明显下降。根据Icm可画出晶体管安全工作区的上边界,即Ic=Icm的水平线,超过该上边界则进入过流区。
反向击穿电压U(br)ceo
晶体管包含两个PN结。如果加到PN结上的反向偏置电压过高,PN结就会反向击穿。为使晶体管安全工作,Uce不能超过U(br)ceo,Uce=U(br)ceo确定的垂直线是晶体管安全工作区的右边界,超过这一边界则进入过压区(击穿区)。
场效应管
最大漏极电流I(DM)
最大漏极电流是指场效应管在工作时允许通过漏极的最大电流。
最大漏源电压U(DS(BR))
最大漏源电压指漏极附近发生雪崩击穿时的漏源电压。
最大栅源电压U(GS(BR))
对于JFET,U(GS(BR))指栅极与沟道间PN结的反向击穿电压。对于MOSFET,U(GS(BR))指使绝缘层击穿的电压。
最大耗散功率P(DM)
定义耗散功率P(D)=U(DS)·I(D),则P(DM)表征FET受最高工作温度和散热条件限制的情况。
参考资料
最新修订时间:2023-09-29 14:40
目录
概述
参数简介
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