因为杂质总是占据点阵中的某些分立位置的,所以式中的不是连续变数,于是D-A对发光表现为一系列的分立谱线(带)。D-A对相距很远时,库仑项非常小,与此相应的光子能量很小。D-A对的大于有效玻尔半径时,跃迁需借助于隧穿过程,因此愈大,跃迁几率愈小,其发光强度也愈小;然而,当很小时,可能存在的D-A对的数目亦相应减少;因此发光强度会在某个值达到极大。一般说,当Г>40┱时,D-A对的发射谱线有严重的交叠而形成宽谱带,只有当在10~40┱之间才能分辨出分立的精细结构。
对于
化合物半导体,必须区分两类D-A对:第一类D-A对的施主和受主都占据化合物中相同的子阵点,如GaP中的S-Si、Te-Si和 Se-Si对,它们都在P位上,Si是受主。第二类 D-A对中施主和受主分别占据不同的子阵点,如GaP中的S-Zn、Te-Zn、S-Cd、Se-Cd和Te-Cd对,其中Ⅵ族施主在P位,Ⅱ族受主在Ga位上。上述两类D-A对中,取分立数值的规律不同,其发光谱线的位置分布也不同。