层错是面缺陷的一种，层错可以通过多种物理过程形成。在晶体生长过程中，原子以不正常顺序堆堆积时的能量和以正常顺序堆积时的能量相差很小，偶然因素很容易造成错误堆积从面形成层错。此外，过饱和点缺陷在密排面上的聚集，再通过驰像过程也可以形成层错。点缺陷为空位时，形成的是抽出型层错，如果点缺陷是填隙原子，则形成插入型层错。抽出型层错还可以在晶体型性形变过程中产生。
堆积层错通常发生在有层状结构的固体中，尤其是那些同时显示多型性的材料。二维或平面缺陷以及CS面都是堆积层错的实例。金属中同时显示多型性和堆积层错的是钴，它可以被制备成两种主要的形式（多型体），其中金属原子排列是
立方密堆积（… ABCABC…）或六方密堆积（… ABABAB…）的。在这两种多型体中，结构在两个维度上即各层内是相同的，不同仅在于第三维上，即在各层的次序上。当正常的堆积次序由于存在“错位”层而在不规则的间隔处中断就发生了堆积无序，如可示意表示为… ABABAB BCA BABA…·。斜体字母表示完全错的层（C）或在任何一侧没有正常相邻层的那些层（A和B）。石是是现多型体（通常是碳原子的六方密堆积但有时是立方密堆积）或堆积无序（六方密堆积和立方密堆积的混合）的另一种单质。
晶粒与晶粒之间的边界称为晶界。具有完整结构的晶体两部分之间的取向有着小角度的倾斜，在角里的部分是由少数几个多余的半晶面所组成的过渡区，这个区域称小角晶界。小角晶界是一种镶嵌结构。显然小角晶界可以看成一些刃型位错的排列。