抗反射涂层(Anti-Reflection Coating, ARC)是旋涂于
光刻胶与Si衬底界面处以吸收光刻反射光的物质。
底部抗反射涂层(Bottom Anti-Reflection Coating, BARC)是位于Si衬底和光刻胶之间的涂层。主要成分是能交联的树脂、热致酸发生剂、
表面活性剂以及溶剂。底部抗反射图层已经显现出减少反射和诸如
驻波等问题的最有效的方法。
顶部抗反射涂层(Top Anti-Reflection Coating, TARC)是涂覆在光刻胶顶部的,完全依赖光学相消干涉(Destructive Interference) 来控制光刻胶表面的反射,也只能控制光刻胶表面的反射率,对光刻胶/衬底界面处的反射无法抑制。
可以显影的底部抗反射涂层(Developable Bottom Anti-Reflection Coating, DBARC)主要有两种。一种是能直接溶于显影液的抗反射涂层(Wet- Developable BARC),由于涂层材料在
显影液中是一个各向同性的过程,这种DBARC溶解后形成的侧面不是垂直的。另一种是光敏的抗反射涂层(Photosensitive DBARC)。在旋涂后烘烤的过程中,聚合物受热激发交联(Thermally Cross-Linking)反应。在曝光过程中,曝光光线透过光刻胶照射在涂层上,激发涂层中的
光化学反应解除交联,使之溶解于显影液。光敏的DBARC是DBARC的主流。
旋涂的含Si抗反射涂层(SiARC)的主要材料是有机
硅氧烷(organosiloxane)。
有机抗反射涂层通过吸收光来减小反射,与涂光刻胶的方式一样被旋涂在硅片上。无机抗反射涂层通过等离子体增强
化学气相淀积形成。无机抗反射涂层不吸收光,而是通过特定波长相移相消起作用,是以折射率、膜层厚度和其它参数为基础的。
选择抗反射涂层的一个因素是,在完成光刻工艺步骤之后抗反射涂层能够被除去的能力。在某些情况下有机抗反射涂层(主要是顶部抗反射涂层)是水溶的,通过显影步骤的冲水很容易去掉。无机抗反射涂层较难被去掉,特别是当它们的化学组成与下层类似时。这个抗反射涂层有时被留在硅片表面成为器件的一部分。