截止状态就是发射结和集电极都是反偏的状态，输出电流当然很小；这是一种”关”态。在
共基极组态中，该很小的输出电流也就是集电结的反向饱和电流Ibco；而在共发射极组态中，该很小的输出电流是E、C电极之间的所谓穿透电流Ieco。
晶体管的工作状态（工作模式）有放大状态、
饱和状态、截止状态和反向放大状态四种。截止状态就是电流很小、基本上不导通的一种工作状态（工作模式）。这种状态，不管是BJT（
双极型晶体管），还是FET（
场效应晶体管），都是一致的；在输出
伏安特性曲线上，其范围都是处于最下面的小区域（紧靠横轴——电压轴）。
一般，Ieco要比Ibco大得多。因为Ieco实际上也就是基极开路时的E、C电极之间的电流；而对于共发射极组态来说，即使基极开路，但发射结上还是加有正向电压、集电结上加有反向电压，即BJT仍然是处于放大状态，只不过这时通过发射结的”输入电流”是很小的Ibco，因此输出的集电极电流Ic就应该是：
FET的截止状态就是没有沟道的状态，当然这时不会导电；通过的电流也就是漏结的
反向饱和电流，非常小。这也是一种“关”态。
注意：FET的截止状态不同于其饱和状态（即放大状态）。截止状态是根本不存在沟道的状态，而饱和状态是有沟道、但沟道在漏极一端被夹断了的状态；因此截止状态的输出电流很小，而饱和状态的输出电流很大。
此外，对于MOSFET，也要注意区分截止状态与亚阈状态这两种工作状态。亚阈状态是
半导体表面多数载流子耗尽、能带弯曲，但又没有完全形成沟道的一种状态（又称为弱反型状态，这时耗尽层厚度尚未达到最大）；因此在亚阈状态工作时，有较小的电流沿着表面流动、并受到栅极电压的控制，从而可用作为低功耗的开关。
一般把作为三极管截止的标志。显然只要e结正偏电压小于导通阈值电压VT（硅管约为0.5 V），c结反偏，就使三极管处于截止状态。这时可把三极管等效成e、b，c互不相通的三点来处理，如三极管共射接法的截止状态
等效电路图所示，其它电路仍照样接上．这时：。
当发射结电压低于死区电压，基极电流很小，以至Ib=0时，集电极电流减小到穿透电流的数值Iceo。Iceo一般不大，它在负载电阻上的压降很小，因此集电极与安射极间的电压降Uceo接近于电源电压，此时晶体管的等效内阻很大，这相当于开关的断开状态。
通常在Ib=0的情况下，所获得的晶体管的截止状态，尚觉不够理想，为了获得一个比较理想的开关的断开状态，只要在基极和发射极间加一个反向偏置电压，这样集电极电流就会减小，且比Iceo的数值还要小许多，在这种情况下，晶体管的集电结和发射结都处于反偏置。
当三极管的基极电位等于或小于三极管发射极电位时，三极管处于截止状态。根据这一原理，合上开关S，用一根导线短接三极管VT的基极（P2）与发射极（P3），这时三极管基极电位与发射极电位相等，电流表A1的显示电流是R2支路的工作电流，电流表A2无指示，即三极管集电极没有电流，表示三极管处于截止状态。