RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理，是在非常短的时间内将整个硅片加热至400~1300℃温度范围内的一种方法，相对于炉管退火，它具有热预算少，硅中杂质运动小，玷污小和加工时间短等特点。
退火：往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。
RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理，是在非常短的时间内将整个硅片加热至400~1300℃温度范围内的一种方法，相对于炉管退火，它具有热预算少，硅中杂质运动小，玷污小和加工时间短等特点。
台湾快速退火炉分为科研型和生产型，科研型快速退火炉e1200、CT100M、CT150M三种型号系统专用于科学研究。适用于Si, Ge, Si/Ge, GaAs, InP及其他半导体材料的热处理工艺。