它具有低阀值、高转化效率、高速调制等特点。其主要结构、形式有
垂直腔面发射激光器和微盘激光器。垂直腔面发射
激光器一般是以高反射率的多层介质膜作为平面腔镜，激光垂直于腔镜表面出射;微盘激光器则是利用弯曲介面的全反射形成腔限制，以回音壁模式作为主要谐振模式。1988年,日本东京工业大学的伊贺(Iga)等人成功地研制出垂直腔面发射激光器;1992年美国AT&T的麦考(McCall)等人研制成功液氮温度光泵浦InGaAs/InGaAsP微盘激光器。微腔激光器由于其尺寸小,对腔内发光物质产生量子限制，从而出现一系列腔量子电动力学(大量QED)效应。为腔量子电动力学理论研究提供了展示舞台。这种激光器比传统的半导体激光器有明显的优越性，在光集成、光互连、光神经网络以及光通讯等方面有着广泛的应用前景。