张兴，于1965年8月出生于山东平邑。1986毕业于
南京大学物理系,取得
理学学士学位。之后考入陕西微电子学研究所计算机器件与设备专业研究生，分别于1989年和1993年获得工学硕士和博士学位。同年进入
北京大学微电子学研究所博士后流动站，在中国科学院院士
王阳元教授指导下工作。
现为
北京大学长聘教授、
博士生导师，
国家自然科学基金委杰出青年基金获得者，973项目首席科学家，
中国电子学会半导体与集成技术分会副主任，
中国计算机学会微机专业委员会主任，科学通报、半导体学报、北京大学学报(自然科学版)等期刊的编委。已发表学术论文200余篇，申请发明专利100余项，其中获得授权40余项，获国家技术发明二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部科技进步一等奖等多项国家和省部级奖励。
教学方面，讲授的《
微电子学概论》被评为北京市精品课程，编写的教材获教育部优秀教材二等奖。
论著方面，共发表学术论文200余篇，出版著作4部，获信息产业部科技进步二等奖、教育部优秀
青年教师奖等8项
省部级奖励。
张兴同志自1993年博士后入站以来，先后主持了国家重大基础研究规划(973)项目(担任项目的首席科学家)、863、国家自然科学基金、国家重点科技攻关以及国际合作等十余项科研项目，均出色完成了任务，总科研经费达数千万元。在这期间，他主要致力于小尺寸MOS器件、
CMOS工艺和SOI技术的研究，取得了一系列富于创新的科研成果，其中主要的如下：
(1) 全面研究了CoSi2栅对器件
辐照特性的影响，首次得出了采用CoSi2自对准栅可以提高器件抗总剂量辐照能力的结论。
(2) 开发了系列深
亚微米SOI器件模型和CMOS/SOI电路模拟软件，在国内首次实现了深亚微米CMOS/SOI电路的模拟。该软件已销售到香港城市大学、航天科技集团等多家单位。(3) 在国内第一个研制出沟长为0.15mm的新型凹陷沟道
SOI器件。(4) 提出并研制了SOI退火推进型栅控混合管(DGCHT)新结构，改善了以前GCHT
击穿电压较低、Early效应较大等问题，获发明专利。 (5) 研制出门延迟时间为55ps的薄膜全耗尽51级CMOS/SOI环振电路，为国内最高水平。(6) 首次提出了大剂量氧
离子注入过程中溅射产额与注入能量的简洁关系式，完成了一个快捷准确的
SIMOX厚度计算程序POISS。(7) 主持开发了抗
辐照CMOS/SOI全套工艺，并已经转让到信息产业部47所、
北京宇翔电子有限公司等。(8) 主持开发的抗辐照
CMOS/SOI
专用集成电路已应用于
中国工程物理研究院、航天工业总公司等。
共出版著作3部，发表学术论文200余篇；获得信息产业部科技进步二等奖、国家科技攻关重大成果奖等奖励7项；获发明专利1项。 在教学方面新开一门本科生学校主干基础课《
微电子学概论》，主讲一门研究生课，能够将最新的科研成果和国内外的进展有机地融入课堂教学中，得到了同学们的好评。