半导体超晶格理论_1973年物理诺奖得主江崎玲于奈1970年提出

半导体超晶格理论

1973年物理诺奖得主江崎玲于奈1970年提出

半导体超晶格理论是1973年诺贝尔物理学奖得主江崎玲于奈1970年提出的理论，并在国际半导体物理学会等场所发表了超晶格理论。

原理

半导体超晶格是指，重叠砷化镓或砷化铝等多种不同的半导体薄晶体形成的层结构。组合不同的超晶格材料种类和膜厚，会产生多种不同的量子效应。现在能利用这种结构制作共振隧道效应晶体管，可用作激光振荡二极管等。

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最新修订时间：2024-02-04 14:18

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