集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件，简单地说，首先是在 Si衬底上划分制备晶体管的区域(active area)，然后是
离子注入实现N型和P型区域，其次是做栅极，随后又是离子注入，完成每一个
晶体管的源极(source)和
漏极(drain)。这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，又被称为前道(front end of line，FEOL)工艺。
图1是一个逻辑器件的剖面示意图。新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：前道(FEOL)栅极的高介电常数材料，它能有效地增大栅极的电容并减少漏电流。前道(FEOL)中的关键光刻层是 FIN 和
栅极(gate)。后道(BEOL)的关键光刻层是 V0/M1/V1/M2，其中V0/V1是通孔层，M1/M2是金属层。